5-2-晶体的电光效应与电光调制-实验报告.docxVIP

晶体的电光效应与光电调制 PAGE \* MERGEFORMAT 晶体的电光效应与光电调制 PAGE \* MERGEFORMAT 8 近代物理实验报告 指导教师： 得分： 实验时间： 2010 年 03 月 24 日， 第 四 周， 周 三 ， 第 5-8 节 实验者： 班级 材料0705 学号 200767025 姓名 童凌炜 同组者： 班级 材料0705 学号 200767007 姓名 车宏龙 实验地点： 综合楼501 实验条件： 室内温度 ℃， 相对湿度 %， 室内气压 实验题目： 晶体的电光效应与光电调制 实验目的： 掌握电光调制的原理和实验方法 学习测量电光晶体半波电压和光电常数的试验方法 观察电光晶体的锥光干涉 实验仪器： 晶体电光调制电源 调制器 接收放大器 实验原理简述： 某些晶体在外加电场的作用下，其折射率将随着外加电场的变化而变化，这种现象称为光电效应。晶体外加电场后，如果折射率变化与外加电场的一次方成正比，则称为一次电光效应，如果折射率变化与外加电场的二次方成正比，则称为二次电光效应。晶体的一次光电效应分为纵向电光效应和横向电光效应 一次电光效应和晶体的折射率椭球 对于电光晶体，晶体在某一方向上的折射率为n0，外加电场后折射率为n，实验表明 n=n0+aE0+bE02+… 其中：a,b为常数；n0为E0=0使的折射率。由一次项引起的折射率变化的效应称为一次电光效应，也叫线性电光效应；由二次项引起的折射率变化的效应称为二次电光效应，也叫平方电光效应。 未加电场时晶体的折射率椭球方程为 晶体的三个主晶轴为x,y,z坐标轴，椭球的主轴与晶体主轴重合。式中n1,n2,n3分别为晶体三个主轴方向上的主折射率。如图5-2-1所示。 当晶体加上电场后，折射率椭球的形状，大小，方位都发生变化，椭球方程变成 此时，椭球主轴不在与x,y,z轴重合。由于晶体的各向异性，电场在x,y,z各个方向上的分量对椭球方程的各个系数的影响是不同的，用以下形式表示 晶体的一次电光效应的普遍表达式，其中，γij叫做电光系数，共有18个，Ex,Ey,Ez是电场在x,y,z方向上的分量。 本实验用的铌酸锂晶体外加电场后，晶体的一次电光系数矩阵为 带入基本式，得到铌酸锂晶体加电场后的椭球方程 变化后得 即外加电压后， 铌酸锂晶体变为双轴晶体，其折射率椭球z轴的方向和长度基本保持不变，而x,y界面由半径为n0的圆变为椭圆。 电光调制原理 横向光电调制 如图5-2-3 入射光经过起偏器后变为振动方向平行于x轴的线偏振光，他在晶体感应轴x’,y’上的投影的振幅和相位均相等，分别设为 用复振幅表示，将位于晶体表面（z=0）的光波表示为 所以入射光的强度为 当光通过长为l的电光晶体后，x’,y’两分量之间产生相位差 通过检偏器出射的光，是这两个分量在y轴上的投影之和 其对应的输出光强It可写为 由以上可知光强透过率为 相位差的表达式 当相位差为π时 由以上各式可将透过率改写为 可以看出改变V0或Vm，输出特性将相应变化。 改变直流电压对输出特性的影响 把V0=Vπ/2带入上式可得 做近似计算得 即T∝Vmsinwt时，调制器的输出波形和调制信号的波形频率相同，即线性调制 如果Vm＞Vπ，不满足小信号调制的要求，所以不能近似计算，此时展开为贝塞尔函数，即输出的光束中除了包含交流信号的基波外，还有含有奇次谐波。由于调制信号幅度比较大，奇次波不能忽略，这时，虽然工作点在线性区域，但输出波形依然会失真。图5-2-5 当V0=0或π；Vm《Vπ时，将V0=0带入到上式得 即T∝cos2wt，可以看出输光是调制信号的二倍，即产生倍频失真。 当V0=Vπ，Vm《Vπ时。经过类似推到，可得 即依然看到的是倍频失真的波形。 用λ/4波片来进行光学调制 由上面的分析可知，在电光调制中，直流电压V0的作用是使晶体在x’,y’两偏振方向的光之间产生固定的相位差，从而使正弦调制工作在光强调制曲线图上的不同点。在实验中V0的作用可以用λ/4波片来实现，实验中在晶体与检偏器之间加入λ/4波片，调整λ/4波片的快慢轴方向使之与晶体的x’,y’轴平行，转动波片，可以使电光晶体工作在不同的工作点上。 实验步骤简述： 实验内容 观察晶体的锥光干涉图 分别用极值法和调制法测定铌酸锂晶体的透过率曲线，求出半波电压 改变直流电压，选择不同工作点，观察正弦波电压的调制特性 用λ/4波片改