南昌大学信息工程学院计算机组成原理课件第3章 存储系统1.ppt

第三章 存储系统 3.1 存储器概述 3.2 随机读写存储器 3.3 只读存储器和闪速存储器 3.4 高速存储器 3.5 cache存储器 3.6 虚拟存储器 3.7 存储保护 3.1 存储器概述 本节首先介绍 存储器的种类 存储器的层次结构 存储器的性能指标 1、存储器种类 　　　　　　　 按照不同的分类方法，存储器会有不同的种类。 常用的分类方法有以下一些： （1）按在计算机中的作用分 可分为内存和外存 内存又称主存（或由主存和高速缓存共同组成）；外存又称辅存，在计算机中操作系统是将辅存作为设备进行管理的 （2）按存储介质分 从目前使用的技术看主要有： 半导体存储器：用半导体材料制作成的存储器，通常是以存储器芯片的形式出现，构成计算机的主存。 磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器，如磁盘（包括硬盘和软盘等）、磁带等。 光介质存储器：按光存储和读写原理制作成的存储器，如CD-ROM和可读写光盘等。 后两者主要用于构成计算机的辅存。 （3）按存取方式分 可分为： 随机访问存储器：可按地址随机访问任何存储单元，如主要的半导体存储器、磁盘、光盘等。 顺序访问存储器：只能按某种顺序访问某存储单元，如磁带。 按内容访问存储器：不是按地址而是按内容访问存储单元，主要有半导体相联存储器。 （4）按读写功能分 主要指半导体存储器，包括： 随机存取存储器RAM：对单元内容可读可写。 只读存储器ROM：正常工作情况下，对单元内容只可读不可写。 （5）按信息的可保存性分 即按断电后信息能否保持分为： 非永久记忆的存储器：断电后信息即消失的存储器，如半导体RAM等。 永久记忆性存储器：断电后仍能保存信息的存储器，如半导体RAM和所有构成计算机辅存的存储器。 存储器分类小结 2、存储器的层次结构 为了解决对存储器要求容量大，速度快，成本低三者之间的矛盾，目前通常采用多级存储器体系结构 3、存储器的性能指标 　　　　 存储容量：X位/片 存取速度：读写一个字单元的时间（ns） 本章后续的内容主要讲述构成计算机内存的各种半导体存储器，以及相关的存储器技术。 3.2 随机存取存储器 随机存取存储器，简称RAM（Random Access Memory），按构成其单元电路的不同，又分为静态随机存取存储器（简称SRAM）和动态随机存取存储器（简称DRAM）。 本节主要讲述SRAM和DRAM的单元电路构成、芯片的内部结构及与CPU的连接方法。 1、SRAM 讲述以下内容： 基本存储单元电路的构成与工作原理 SRAM存储器芯片的内部结构和芯片实例 SRAM与CPU的连接设计 SRAM的读写周期时序 （1）基本存储单元电路 所谓基本存储单元电路是指能够存储一位二进制位的电路，右图是一个基本的由六个晶体管组成的SRAM单元电路。 T1,T2:存储管 T3,T4:负载管 T5,T6,T7,T8:控制管 存储信息的原理:在通电的情况下,T1,T2必为一个导通一个截止,正好利用这两种状态存储一个二进制位. 我们定义： T1导通,T2截止为存储“1”； T2导通,T1截止为存储“0”. 工作原理 保持:X和Y地址译码线均为低电平,则T5-8管截止,T1,T2与外界电路切断,信息能保持. 读出: X和Y地址译码线均为高电平,则T5-8管导通.若原来存储的是“0”,则A点为高电位,A经T5,T7产生一个电流通路,即在T7 I/O线上可检测到电流,此为读出了“0”; 若原来存储的是“1”,则B点为高电位,B经T6,T8产生一个电流通路,即在T8 I/O线上可检测到电流,此为读出了“1”. 写入: X和Y地址译码线均为高电平,则T5-8管导通.若写入“0”,则在T5,T7 I/O线上分别加载高低电位,从而使A,B点分别为高低电位,也就使T1,T2分别为截止和导通状态,即写入了 “0”; 若写入“1”,则在T5,T7 I/O线上分别加载低高电位,从而使A,B点分别为低高电位,也就使T2,T1分别为截止和导通状态,即写入了 “1”. （2）芯片的内部结构 SRAM通常由存储体、译码电路、读写电路和控制电路等部分组成，其中存储体是由全部存储单元排列成阵列的形式构成的，它是存储器的核心。 芯片举例：Intel2114 SRAM芯片 容量：1K×4位 引脚符号图右图示 A0-A9：地址线 I/O1-I/O4：双向数据线 CS：片选信号 WE：读写信号 内部结构下图所示 （3）与CPU的连接 在选择存储器芯片构成计算机的存储器并与CPU相连时，首先要进行容量扩展工作,然后再将存储器芯片引脚通过系统总线与CPU连接。 存储器芯片和存储器的容量通常表示成： m×n （位）