第3章节基本电子器件资料.pptVIP

半导体器件 跨导gm 4 、半导体三极管 （1） 基本结构 N N P B 基极 E 发射极 C 集电极 NPN型 P N P 基极 B 集电极 C 发射极 E PNP型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 + + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + + B E C NPN型三极管 B E C PNP型三极管 三极管符号 N P N C B E P N P C B E T T （2） 电流放大原理 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 IB B E C N N P EB RB Ec IE 从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成IC。 IC IC IB ICBO 三极管起电流放大作用的条件： 1、内部条件：发射区掺杂浓度大，基区掺杂浓度小，并且做的很薄。 2、外部条件：要使三极管起电流放大，必须使发射结正向偏置，集电结反向偏置。