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IGBT模块的损耗来源 IGBT模块的损耗源于内部IGBT和二极管（续流FWD、整流）芯片的损耗，其中主要是IGBT和FWD产生的损耗。 IGBT不是一个理想开关，体现在： 1）IGBT在导通时有饱和电压—Vcesat，造成导通损耗； 2）IGBT在开关时有开关能耗—Eon和Eoff，Eon和Eoff造成开关损耗。 导通损耗 +开关损耗 = IGBT总损耗。 FWD也存在两方面的损耗： 1）在正向导通（即续流）时有正向导通电压—Vf，造成导通损耗； 2）在反向恢复的过程中有反向恢复能耗—Erec，造成开关损耗。 导通损耗 + 开关损耗 = FWD总损耗。 上述四种损耗Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec体现了IGBT/FWD芯片的技术特征。实际生成中IGBT/FWD芯片技术不同，Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec也不同。 2.2 IGBT模块的损耗计算 1）50A工作100A时IGBT工作损耗： （1）通态损耗计算 通态损耗：Pcon=Vce(sat)*Iav*D 取Vce(sat)=3.2V; Iav=Ip/1.414=50/1.414=35.36A; D=50% 得Pcon=3.2*35.36*0.5=56.576W （2）关断损耗计算 关断损耗： Poff=f*Eoff=46KHz*18*40/100*514/600mJ=283W 续流二极管损耗： Pd=f*Ed=46KHz*4*40/100*514/600=73.6W （3）IGBT总得损耗： P= Pcon+ Poff+ Pd 56.576+283+73.6=413.176W 以上是在最大参数时计算所得，实际功耗需要结合不同的电路，及电流电压波形才能得出准确的值。 2）50A工作200A时IGBT工作损耗： （1）通态损耗计算 通态损耗：Pcon=Vce(sat)*Iav*D 取Vce(sat)=3.2V; Iav=Ip/1.414=50/1.414=35.36A; D=50% 得Pcon=3.2*35.36*0.5=56.576W （2）关断损耗计算 关断损耗： Poff=f*Eoff=14.46KHz*65*45.5357/200*514/600mJ=183.32W 续流二极管损耗：Pd=f*Ed=14.46KHz*5*45.5357/200=16.461W （3）IGBT总得损耗： P= Pcon+ Poff+ Pd =56.576+183.32+16.461=256.357W 以上是在最大参数时计算所得，实际功耗需要结合不同的电路，及电流电压波形才能得出准确的值。 3）55A工作200A时IGBT工作损耗： （1）通态损耗计算 通态损耗：Pcon=Vce(sat)*Iav*D 取Vce(sat)=3.2V; Iav=Ip/1.414=55/1.414=38.90A; D=50% 得Pcon=3.2*38.9*0.5=62.24W （2）关断损耗计算 关断损耗： Poff=f*Eoff=13.89KHz*65*49.5/200*514/600mJ=192.43W 续流二极管损耗：Pd=f*Ed=13.89KHz*5*49.5/200=17.19W （3）IGBT总得损耗： P= Pcon+ Poff=62.24+192.43+17.19=271.86W 以上是在最大参数时计算所得，实际功耗需要结合不同的电路，及电流电压波形才能得出准确的值。