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PROPERTIES DATA Series 700 1200 Density g/cc 3.02 2.77 Thermal Conductivity W/m K 210 170 Thermal Expansion PPM /oC 6.0 - 8.0 16.0 – 18.0 Electrical Conductivity %IACS 7 25 – 27 Youngs Modulus Gpa 224 100 Thermal Capacity J/cc oC 2.22 2.05 国外SiC/Al热沉产品性能 热膨胀系数 　6.5～9.5×10-6/K之间任意可调 导热率 　?170～200 W/mK 电阻率 ?　30～50μΩ·cm 抗弯强度 ?　350～500 MPa 弹性模量 ?　200～230 GPa 密度 ?　2.95～3.00 g/cm3 尺寸范围 ?　3×3×0.5 mm3～100×60×10 mm3 尺寸精度 ?　±0.05mm 表面粗糙度 ?　1.6～3.2μm 镀层厚度 ?　3～10μm 镀层质量 ?　400℃空气烤15min，镀层无起泡、起 皮或变色现象 国内报道SiC/Al材料性能 超高热导热沉材料 CVD金刚石薄膜 金刚石熔点高达3000oC以上，抗氧化能力强，天然IIa型金刚石晶体室温下热导率为2000W/mk，是已知物质中最高的，为Cu的5倍。化学气相沉积（CVD)金刚石为多晶结构，膜内存在大量杂质与缺陷，其导热性能一般达不到天然金刚石的水平。 金刚石热沉是解决迅猛发展的芯片散热问题的理想材料。 热丝CVD制备金刚石薄膜的基本原理是将含碳气源（如甲烷）和氢气在灯丝产生的高温（2000oC以上）作用下分解离化后产生含碳基团和原子氢等，他们的相互作用促使构成金刚石的SP3杂化碳－碳键的形成，从而在基体（温度600-1000oC）表面沉积金刚石薄膜。 颗粒增强型金刚石/金属基复合热沉材料 金刚石颗粒/SiC热沉材料 金刚石颗粒增强Cu基热沉材料 金刚石颗粒增强Al基热沉材料 总结 高热导封装材料对于高频率、高功率密度的IC器件的性能、可靠性有至关重要的作用。 通过材料的改进，可以省去高功率密度集成电路需要的散热管（针）、风扇、冷却液等装置。 高热导封装材料向着更高的热导率、更轻的重量、更低的成本方向发展，在无线通讯、高集成度微电子产品、便携式电子产品、相控阵列雷达等军事电子器件、航天航天等领域有非常广阔的应用前景。 国外第二代WCu、MoCu、Cu/Mo/Cu、AlN、SiC/Al等新型高导热封装材料已可以规模化生产，通过生产工艺的不断改进，产品质量的稳定性不断提高、产品价格不断降低，已达到工业化使用水平。热导率大于500W/mK的第三代颗粒增强型金刚石热沉材料已有产品生产，热导率大于1000W/mK的CVD金刚石薄膜热沉材料的研究正在进行中，已能在试验室合成。 国内目前还没有可以批量化生产第二代高热导封装材料的单位。中南大学、西北工业大学、安泰科技股份有限公司、北京有色金属研究总院分别在不同的封装材料领域进行研究。 高热导封装材料的使用要求很高，对产品质量的稳定性、机械加工精度、电镀水平有一系列非常严格要求，是国内该类材料研究的主要难点。 国内目前对高热导封装材料的实际应用需求较少，限制了对材料研究的投入。 高导热封装材料的研究是IC发展过程中无法回避的问题。在中国正逐步成为世界IC器件生产、制造中心的大环境下，需要政府、企业、研究院所共同对研发进行投入，克服困难，早日实现国内高导热封装材料的规模化生产。 谢 谢Thank you for your attention Ref. Mat. Ceramics Branch ATM Ref. Mat. Ceramics Branch ATM 大功率密度封装用粉末冶金 热沉材料 安泰科技股份有限公司 集成电路封装就是将一个具有一定功能的集成电路芯片（包括半导体集成电路芯片、薄膜集成电路基片、混合集成电路芯片）放置在一个与之相应的外壳容器中，为芯片提供一个稳定可靠的工作环境，保护芯片不受或少受外部环境影响，使集成电路具有稳定正常的功能。 塑料封装材料（酚醛类、环氧类、聚脂 类、有机硅） 金属封装材料（Cu、可伐、Si/Al、WCu、MoCu、 Cu-Mo-Cu） 陶瓷封装材料（AlN、SiC、BeO） 陶瓷金属封装材料（SiC/Al) 其他（CVD Diamond、Diamond/Cu、Diamond/Ag）） 电子封装材料分类 塑料封装由于具有成本低和便于自动化生产的优点，国际上90％的集成电路都