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* 入射光 阴极K 第一倍增极 第二倍增极 第三倍增极 第四倍增极 阳极A * 光电倍增管的电流放大倍数为 如果n个倍增电极二次发射电子的数目相同,则Ｍ＝δin 因此阳极电流为Ｉ＝i ·δin, M与所加的电压有关。一般阳极和阴极之间的电压为1000~2500V，两个相邻的倍增电极的电位差为50~100V。 2. 光电倍增管的特性参数： （1）倍增系数M：等于各个倍增电极的2次发射电子数δi的乘积。 一个光子在阴极能够打出的平均电子数叫做光电阴极的灵敏度。一个光子在阳极上产生的平均电子数叫光电倍增管的总灵敏度. （2） 光电阴极灵敏度和光电管的总灵敏度 （3） 暗电流和本底电流 由于环境温度、热辐射和其它因素的影响，即使没有光信号输入，加上电压后阳极仍有电流，这种电流称为暗电流。 在其受人眼看不到的宇宙射线的照射后，光电倍增管就会有电流信号输出—即本底脉冲。 （4） 光电倍增管的光谱特性 与相同材料的光电管的相似。 * 国产光电倍增管的技术参数 （三）光电管和光电倍增管的应用 1. 光电管、光电倍增管在分光光度计中的应用 2. 光电倍增管在γ射线探测器中的应用 四、光敏电阻 1. 光敏电阻的结构和工作原理 A E 电极 半导体 玻璃底板 RL E I RG * 如果把光敏电阻连接到外电路中，在外加电压的作用下，用光照射就能改变电路中电流的大小： 光敏电阻具有很高的灵敏度、很好的光谱特性、很长的使用寿命、高度的稳定性能、小的体积及工艺简单，故应用广泛。 当光照射到光电导体上时，若光电导体为本征半导体材料，而且光辐射能量又足够强，光导材料价带上的电子将激发到导带上去，从而使导带的电子和价带的空穴增加，致使光导体的电导率变大。 * 2. 光敏电阻的主要参数 （1）暗电阻、暗电流、亮电阻、亮电流、光电流 光敏电阻在未受到光照时的阻值称为暗电阻，此时流过的电流为暗电流。 在受到光照时的电阻称为亮电阻，此时的电流称为亮电流。 亮电流与暗电流之差为光电流。 (1) 伏安特性 所加的电压越高，光电流越大，而且没有饱和的现象。 0 10 20 30 40 50 50 100 150 200 250 I/ μA U/V 2. 光敏电阻的基本参数 （2）光谱特性 硫化镉的峰值在可见光区域，硫化铅的峰值在红外区域。故选用时要把元件和光源结合起来考虑。 0 500 1000 1500 2000 2500 20 40 60 80 100 硫化镉 硫化铊 硫化铅 入射光波长/nm 相对灵敏度/% (3) 温度特性 硫化铅光敏电阻光谱特性峰值随温度上升向波长短 的方向移动。 20 40 60 80 100 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 λ/μm 相对灵敏度（%） +20 oC -20 oC 五、光电池、光电二极管及光电三极管 1. 光电池 光电池（Photocell）是一种光生伏特效应元件 当它受到光照时不需再外加其他任何形式的能量就会产生电流输出。其输出电流与接受的光照有一定的关系用它可以反映光照的强度 光电池按结构可分为两类 利用PN结的光生伏特效应制成的光电池 利用半导体与金属接触产生光生伏特效应制成的光电池 * 1. 光电池的工作原理 下电极 梳状电极 SiO2抗反射膜 P N 硅光电池的结构如图。它是在一块N型硅片上用扩散的办法掺入一些P型杂质（如硼）形成PN结。 * RL I - - - mA V + + + P N 当光照到PN结区时，如果光子能量足够大，将在结区附近激发出电子-空穴对，在N区聚积负电荷，P区聚积正电荷，这样N区和P区之间出现电位差。 若将PN结两端用导线连起来，电路中就有电流流过。若将外电路断开，就可测出光生电动势。 * 3.　光电池基本特性 （１）光谱特性 故硒光电池适用于可见光，常用于分析仪器、测量仪表。如用照度计测定光的强度。 硅光电池的光谱峰值在800nm附近，硒的在540nm附近。 20 40 60 80 100 硒 硅 入射光波长λ/nm 0 400 600 800 1000 1200 相对灵敏度/% * (2) 光照特性 ①不同光照射下有不同光电流和光生电动势。②短路电流在很大范围内与光强成线性关系。 开路电压 0.1 0.3 0.2 照度/lx 0 2000 4000 光生电流/mA 0.2 0.6 0.4 光生电压/V 短路电流 ③开路电压与光强是非线性的，且在2000 lx时趋于饱和。④光电池作为测量元件时，应把它作为电流源的形式来使用，不宜用作电压源，且负载电阻越小越好。 * (3) 频率特性 硅光电池