晶体二极管、三极管.ppt

三极管从结构上来讲分为两类：NPN型三极管和PNP型三极管。图1.26所示为三极管的结构示意图和符号。 图1.26 三极管的结构示意图和符号 符号中发射极上的箭头方向，表示发射结正偏时电流的流向。 三极管制作时，通常它们的基区做得很薄（几微米到几十微米），且掺杂浓度低；发射区的杂质浓度则比较高；集电区的面积则比发射区做得大，这是三极管实现电流放大的内部条件。 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电结：面积较大 发射区：掺杂浓度较高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 三极管可以是由半导体硅材料制成，称为硅三极管；也可以由锗材料制成，称为锗三极管。 三极管从应用的角度讲，种类很多。根据工作频率分为高频管、低频管和开关管；根据工作功率分为大功率管、中功率管和小功率管。常见的三极管外形如图1.27所示。 图1.27 常见的三极管外形 1.3.2 三极管的电流分配原则及放大作用 要实现三极管的电流放大作用，首先要给三极管各电极加上正确的电压。三极管实现放大的外部条件是：其发射结必须加正向电压（正偏），而集电结必须加反向电压（反偏）。 1.实验结论 为了了解三极管的电流分配原则及其放大原理，首先做一个实验，实验电路如图1.28所示。在电路中，要给三极管的发射结加正向电压，集电结加反向电压，保证三极管能起到放大作用。改变可变电阻Rb的值，则基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE都发生变化，电流的方向如图中所示。 图1.28 三极管电流放大的实验电路 由实验及测量结果可以得出以下结论。 （1）实验数据中的每一列数据均满足关系：IE=IC+IB； 此结果符合基尔霍夫电流定律。 （2）每一列数据都有ICIB，而且有IC与IB的比值近似相等，大约等于50。 （3）对表1.4中任两列数据求IC和IB变化量的比值，结果仍然近似相等，约等于50。 （4）从表1.4中可知，当IB=0（基极开路）时，集电极电流的值很小，称此电流为三极管的穿透电流ICEO。穿透电流ICEO越小越好。 2.三极管实现电流分配的原理 上述实验结论可以用载流子在三极管内部的运动规律来解释。图1.29为三极管内部载流子的传输与电流分配示意图。 图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图 1.2 半导体二极管 1.2.1 二极管的结构及符号 半导体二极管同PN结一样具有单向导电性。二极管按半导体材料的不同可以分为硅二极管、锗二极管和砷化镓二极管等。可分为点接触型、面接触型和平面型二极管三类，如图1.10所示。 图1.10 不同结构的各类二极管 图1.11所示为二极管的符号。由P端引出的电极是正极，由N端引出的电极是负极，箭头的方向表示正向电流的方向，VD是二极管的文字符号。 图1.11 二极管的符号 常见的二极管有金属、塑料和玻璃三种封装形式。按照应用的不同，二极管分为整流、检波、开关、稳压、发光、光电、快恢复和变容二极管等。根据使用的不同，二极管的外形各异，图1.12所示为几种常见的二极管外形。 图1.12 常见的二极管外形 1.2.2 二极管的伏安特性及主要参数 1.二极管的伏安特性 二极管两端的电压U及其流过二极管的电流I之间的关系曲线，称为二极管的伏安特性。 （1）正向特性 二极管外加正向电压时，电流和电压的关系称为二极管的正向特性。如图1.13所示，当二极管所加正向电压比较小时（0UUth），二极管上流经的电流为0，管子仍截止，此区域称为死区，Uth称为死区电压（门坎电压）。硅二极管的死区电压约为0.5V，锗二极管的死区电压约为0.1V。 图1.13 二极管的伏安特性曲线 （2）反向特性 二极管外加反向电压时，电流和电压的关系称为二极管的反向特性。由图1.13可见，二极管外加反向电压时，反向电流很小（I≈-IS），而且在相当宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流。 （3）反向击穿特性 从图1.13可见，当反向电压的值增大到UBR时，反向电压值稍有增大，反向电流会急剧增大，称此现象为反向击穿，UBR为反向击穿电压。利用二极管的反向击穿特性，可以做成稳压二极管，但一般的二极管不允许工作在反向击穿区。 2.二极管的温度特性 二极管是对温度非常敏感的器件。实验表明，随温度升高，二极管的正向压降会减小，