青岛农业大学机电工程学院微机原理与应用课件 第三章.pptVIP

第3章：存储器 教学重点 第3章：3.1 存储器概述 第3章：3.1.1 半导体存储器的分类 第3章：图6.1 半导体存储器的分类 第3章：⑴读写存储器RAM 第3章：⑵只读存储器ROM 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 第3章：半导体存储器的性能指标 容量：指每块芯片上能存储的二进制位数。 芯片的存储容量＝存储单元数×存储单元的位数＝2M×N M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 存取时间：是指存数的写操作和取数的读操作所进行的时间，单位为ns。 功耗：一般是指每个存储单元的功耗，单位为uW/单元，也有给出每块芯片总功耗的，单位为mW/芯片。 电源：指芯片工作所需的电源种类。 第3章：6.1.2 半导体存储器芯片的结构 第3章：①存储体 每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储1位（位片结构）或多位（字片结构）二进制数据 存储容量与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量 ＝存储单元数×存储单元的位数＝2M×N M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 第3章：②