苏州科技大学电子与信息工程学院单片机原理及应用课件 第8章.pptVIP

第八章 MCS-51单片机扩展存储器的设计 8.1 概述 8.2 存储器扩展的基本方法 8.3 程序存储器扩展 8.4 静态数据存器的扩展 8.5 E2PROM的扩展 存储器的分类方法较多 组成原料和单元电路类型 磁芯存储器、半导体存储器、电荷耦合存储器 与微处理器的关系 内存、外存 存储器容量： 是指一片存储器最多能够存储多少个单位信息，二进制信息单位多用字节来表示。 在标注存储器容量时，经常同时标出存储单元的数目和位数。 8.1 概述 下面介绍单片机中所使的半导体存储器在功能上的分类。 8.1.1 只读存储器 8.1.2 随机存储器 8.1.3 可现场改写的非易失存储器 8.1.1 只读存储器（Read Only Memory) 使用时只能读出而不能写入，断电后ROM中的信息不会丢失。因此一般用来存放一些固定程序，如监控程序、子程序、字库等。按存储信息的方法又可分为四种。 腌膜ROM(固定ROM) 厂家编好程序写入ROM供用使用，用户不能更改。价格最便宜。 可编程的只读存储器PROM 由用户根据自己所编程序一次性写入、一旦写入、只能读出，而不能再进行更改。 可改写的只读存储器EPROM 它的内容可以通过紫外线照射而彻底擦除，擦除后又可重新写入新的程序。使用得当，一般情况下一个EPROM芯片可改写几十次。擦除时间一般为几分钟到二十几分钟（不同厂家略有不同）。 可电改写只读存储器E2PROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) E2PROM可通过加电写入或清除其内容，编程电压和清除电压均为+5V,使用也极为方便。数据不会因掉电而丢失。 E2PROM 保存的数据至少可达10年以上，每块芯片可擦写1000次以上。 8.1.2 随机存储器 RAM常用于存放经常要改变的程序或中间计算结果。断电后RAM中的信息全部丢失。 RAM按照存储信息的方式，又可分为静态和动态两种。 静态SRAM(Static RAM) 特点为只要有电源加于存储器，数据就能长期保留。 动态DRAM(Dynamic RAM) 写入的信息只能保持若干毫秒，因此每隔一定时间必须重写一次，以保持原有信息不变。 8.1.3 可现场改写的非易失存储器 这些存储器的共同点：从原理上看他们属于ROM型存储器，但是从功能上看，它们又可以随时改写信息,因而作用相当于RAM.所以，ROM、RAM的定义和划分已逐渐失去意义。 快擦写存储器FLASH 在EPROM和E2PROM的制造基础上产生一种非易失存储器。其集成度高，制造成本低于DRAM,既具有SRAM读写的灵活性和较快的访问速度，又具有ROM在断电后不丢失信息的特点。 快擦写存储器FLASH 在EPROM和E2PROM的制造基础上产生一种非易失存储器。其集成度高，制造成本低于DRAM,既具有SRAM读写的灵活性和较快的访问速度，又具有ROM在断电后不丢失信息的特点。 8.2 存储器扩展的基本方法 当单片机片内存储器不够用或采用片内无存储器的芯片时，需要扩展程序存储器或数据存储器，扩展容量随应用系统的需要而定。 在扩展多片程序存储器和数据存储器时，就需要考虑如何合理地分配地址空间，这个合理性不仅取决于存储器读写控制（避免地址和数据的冲突）和片选控制的时序配合，而且还取决于MCS-51单片机外扩存储器的一些规定。 8.2.1 MCS-51单片机对存储器的控制 读写控制 RAM芯片的读写控制线，记为WE或W/R . 有的芯片把读写信号控制线分开，分别记为 OE(或G) 和 WE (或 W) 。 EPROM在正常使用中只能读出，不能写入，所以EPROM芯片没有写信号线，只有读信号线。 存储器寻址 存储器寻址是通过对地址线进行适当连接，存储器中每一个单元都对应唯一的寻址地址。 存储器寻址的两个步骤： 存储器芯片的寻址 芯片内部存储单元的寻址 存储器寻址主要也是研究芯片的寻址问题。 目前常用的两种方法： 线选法 MCS-51单片机的片