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３、场效应管(FET)放大器 §3.1 结型场效应管(JFET) （一）、工作原理 当uGS＜0V时，耗尽层变宽 工作区：UPuGS?０,uDS0且 2、输出特性曲线： 三、结型场效应管的缺点： §3.2 绝缘栅场效应管（MOSFET） 思考：MOSFET的如何达到电压放大的目的？ (二)、MOSFET的工作原理 (三)增强型N沟道MOS管的特性曲线 2、输出特性曲线： （三）、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 2、输出特性曲线： §3.4 场效应管放大器 (一）、场效应管的微变等效电路 1、混合偏置式共源电路的动态分析 2、共漏极电路（源极输出器）的动态分析 1、求电压放大倍数Au ３、求输出电阻 Ro (二)、动态分析的步骤 步骤:原电路 交流通路 微变等效电路 计算动态值 uo ＋ＵD RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 1M G D S 交流通道 s g R2 R1 RG d RL RD ui uo 微变等效电路 ui s g R2 R1 RG d RL RD uo 交流通道 Ro=RD ……反相放大 ……输入电阻很大 ……输出电阻很大 id s g R2 R1 RG d RL RD ui uo ig=0 微变等效电路 uo +UD RS ui C1 R1 RG R2 RL D S C2 G g R2 R1 RG s d RS RL 交流通道 g R2 R1 RG s d RS RL Ri 2、求输入电阻 Ri 求Ri的等效电路 ……输入电阻很大 ……电压跟随器 微变等效电路 g R2 R1 RG s d RS RL g R2 R1 RG s d RS RL * 5.3 场效应管的参数及特点 5.1　结型场效应管(JFET) 5.2　绝缘栅场效应管(MOSFET) 5.4 场效应管放大器 1、FET与BJT的区别 结型场效应管（JFET） 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 2、场效应管的分类： 电压控制元件， 输入电阻高， 温度稳定性好 慨述 BJT FET 双极性载流子参与导电， 电流控制元件， 输入电阻低， 温度稳定性差 单极性载流子参与导电， 有两大类: 不受静电影响 易受静电影响 不宜大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 一、分类、结构及符号 N沟道JFET P 沟道JFET d g s d g s N P+ P+ g 栅极 s 源极 d 漏极 P N+ N+ g 栅极 s 源极 d 漏极 二、JFET的工作原理、特性曲线 N g s d UDS UGS iD P+ P+ iG 处于无效区 工作区：当uＧＳ＞ ０ 时， 以N沟道为例 1、当uGS0 时，uGS失去对导电沟道的控制作用，从而失去对iD的控制， 且输入电阻rgs将变小， 形成一定的iG 电流。 uGS失去对iD的控制 UGS ?A V uDS uGS iG V mA iD d g s UDS uGＳ 导电沟道变窄，沟道电阻增大， g s d uDＳ iD N N N P P iＧ 从而uGS控制了iD 的变化。 工作区： 当uGS? UP时， 即|uGS | ?| UP | N VGG P+ P+ 2、uGS对 iD 的控制作用假设 uDS=常数 耗尽层 uDS ? 0V， iD=0A。 耗尽区闭合， D、S间被夹断 处于截止区 所以iG?0 rgs 在 107?以上 同时因为PN 结反偏， uGＳ g d uDＳ iD N N N P+ P+ iＧ iD随uＧＳ、uＤＳ 变化而变化 处于变阻区 3、uDS对iD的影响：假设uGS=常数 不是太大时, 导电沟道的宽度受uDS的 影响较小，但iD受uDS的 影响较大。 N p P P P uGＳ g d uDS iD N N N P+ P+ iＧ uDS增大,一方面使iD增大； 另一方面使靠近漏极 端的导电沟道变窄,　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 导电沟道电阻增大,又使iD变小, 　　 夹断后，即使uDS 继续增加，iD不再增加。 越靠近漏极端,电沟道呈楔形。 当uDS=uGS-UＰ时, 漏极端的沟道被夹断， 漏极端的沟道被夹断，称为预夹断。 工作区：当UＰuＧＳ? ０、 uDS＞uGS-UＰ时, iD随uＧＳ变化而变化、 但不随uＤＳ变化而变化 处于放大区 uGS 0 iD IDSS UP 在 UP ? uGS? 0 范围内 （二）、特性曲线 1、转移特性曲线： 变阻区 UPuGS0 uDS(uGS-UP) 截止区 uGSUP，uDS0 放大区 UPuGS0 uDS(uGS-UP) uDS=uGS-VP 沟道预夹断 iD u DS 0 uGS=-0.4