重庆大学模拟电子技术课件 N8.pptVIP

第六节 场效应管 英文缩写：FET 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件，从制做工艺的结法上分为两大类型： 第一类：结型场效应管（JFET） 第二类：绝缘栅型场效应管（IGFET） 又称：金属一氧化物一半导体型（MOSFET）; 简称 MOS型场效应管。 其中MOS场效管具有制造工艺简单，占用芯片面积小，器件的特性便于控制等特点。因此MOS管是当前制造超大规模集成电路的主要有源器件，并且已开发出许多有发展前景的新电路技术。 一、MOS场效应管 MOS管又分为 增强型（EMOS）两种 耗尽型（DMOS） 每一种又有 N沟道型 P沟道型 所以一共有四种： N沟道增强型（NEMOS） P沟道增强型（PEMOS） N沟道耗尽型（NDMOS） P沟道耗尽型（PDMOS） 现在以N沟道增强型为例讨论MOS管的工作原理： 1、结构：NEMOS管以P型硅片为衬底。 再在衬底上扩散两个N+区（高掺杂），分别为源区和漏区。则源区和漏区分别与P型衬底形成两个PN+结。 在P型衬底表面生长着一薄层的二氧化硅（SiO2）的绝缘层，并在两个N+区之间的绝缘层上覆盖一层金属，然后在上面引出电极为栅极（G）； 源区和漏区引出的电极分别为源极（S）和漏极（D） 而从衬底通过P+引线引出的电极称为衬底极（U）。 如下图所示： 2、电路符号：如各图片所示 3、工作原理： 在栅极电压VGS作用下，漏区和源区之间形成导电沟道。然后在漏极电压VDS作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产生自漏极流向源极的电流。 因此，改变栅极电压VGS即可控制导电沟道的导电能力，使漏极电流ID发生变化，从而起到正向控制作用。 （1）导电沟道形成原理： 在通常情况下，源极（S）一般都与衬底极（U）相连，即VUS=0；而正常工作时，源区和漏区的两个N+区与衬底之间的PN结必须加反偏电压，因此，漏极对源极的电压VDS必须为正值。 即正常工作时 ： VGS 0,VDS 0，且VDS VGS ① 先设VDS= VGS= 0，两个N+区各自被空间电荷区包围而隔断。 ② 加上VGS0，产生自SiO2→P型衬底的电场E，电场E将两个N+区的多子电子和P型衬底中的少子电子吸向衬底的表面与多子空穴复合而消失，同时又排斥衬底中的空穴向P的底层。 这样在衬底表面的薄层中形成以负离子为主的空间电荷区，并与两个PN结的空间电荷区相通。 此时，由于电荷平衡原理，空间电荷区的纯负电荷量等于金属栅上的正电荷量。可见，当VGS= 0或较小的正值时，源区和漏区之间均被空间电荷区隔断。 VDS = VGS = 0，两个N+区各自被空间电荷区包围而隔断。 UDS = 0，0 ＜ UGS ＜ UGS（TH）时，形成空间电荷区 ③ 增大VGS，使两个N+区和衬底中的电子进一步被吸引到衬底表面的薄层中，并进一步排斥该薄层中的空穴，直到其间自由电子浓度大于空穴浓度，则薄层的导电类型就由原来的P型转变为N型，且与两个N+区相通，因此我们称这时的薄层为反型层。而由P型转变而来的。 ④ 当外加VDS0时，源区中多子电子将沿这个反型层漂移到漏区D，形成自漏极D流向源极S的漏极电流ID。 因此，通常将反型层称为源区和漏区之间的导电沟道。这个沟道由电子形成，故称为N沟道。 可以看出，VGS↑反型层中的自由电子浓度↑，沟道导电能力↑，则在VDS 作用下的 ID↑。 形成反型层后，根据电荷平衡原理，反型层中的电子电荷量和空间电荷区中的负离子电荷量之和等于金属栅上的正电荷量。 ⑤ 现将刚开始形成反型层所需的VGS 值称为开启电压，用 VGS(th) 表示，VGS(th) 的大小决定于MOS管的工艺参数。 当VGS VGS(th) 时，沟道未形成，（或称为沟道被夹断）。此时在VDS 作用下的ID = 0 当VGS VGS(th) 时，沟道形成，ID随VGS增大而增大。 （2）VDS对沟道导电能力的控制 当NEMOS管在形成沟道后，在正值电压VDS作用下，源区的多子电子沿着沟道行进行到漏区，形成漏极电流ID。 由于ID通过沟道形成自漏极到到源极方向的电位差。因此加在“平极电容器”上的电压将沿着沟道而变化: 近源极端的电压最大，其值为VGS，相应的沟道最深； 离开源极端，越向漏极端靠近，电压就越小，沟道也就越浅；直到漏极端，电压最小，其值为： V