毕业论文：磁电阻随机存取存储器研究进展.docVIP

PAGE l 内蒙古科技大学 本 科 毕 业 论 文 论文题目：磁电阻随机存取存储器研究进展 院 系： 物理科学与技术学院 专 业： 应用物理学 姓 名： 学 号： 指导教师： 二零一二 年 五 月 摘要 磁阻式随机存取存储器(MRAM)已被公认为一种前景非常广阔的存储器。本文综述了MRAM 的概念和原理。以及它和目前常见的静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)、闪存(FLASH) 等类型的存储器的差别。实用型MRAM主要利用隧道磁阻(TMR)效应，所以目前MRAM的研究重点之一就是如何提高传统的TMR材料的性能。MRAM的另外一个研究方向是发展新原理和新结构的MRAM。本文对磁电阻随机存取存储器原理与优势进行了全面的介绍，并对磁电阻随机存取存储器的研究进展做出了表述。 关键词：MRAM；磁性随机存储器；磁电阻 Abstract 　　Magnetic resistance type random access memory (MRAM) has been recognized as a kind of very wide prospect of memory. This paper reviewed the MRAM concept and principle. And it and the most common static random access memory (SRAM), dynamic random access memory (DRAM), FLASH memory (FLASH), and other types of memory difference. The practical MRAM, mainly using tunnel magnetic resistance (TMR) effect, so for now, the study is one of the key MRAM, how to improve the traditional TMR material performance. MRAM another research direction is to develop the new principle and the structure of the new MRAM. In this paper, the magnetic resistance random access memory principle and superiority of the comprehensive introduction, and of magnetic resistance random access memory research progress made the statement. Key word: MRAM；Magnetic ram; Giant magnetic resistance 目录 TOC \o 1-3 \h \z \u 引言 h 4 1 磁阻式随机存取存储器（MRAM）的概念 h 5 1.1 MRAM工作的控制原理 h 5 1.2 MRAM存取的基本原理 h 5 1.3 MRAM的工作原理 h 6 1.4 巨磁电阻随机存储器（GMR）的简介 h 6 1.5 GMR效应在随机存储器 (MRAM)中的应用 h 7 2 MRAM与现行各类存储器的比较 h 8 2.1 静态存储器（SRAM）、动态存储器（DRAM）介绍 h 8 2.2 MRAM的优势 h 8 2.3 MRAM目前的不足 h 9 3 MRAM的发展与应用 h 10 3.1 MRAM研究进展 h 10 3.2 高磁电阻比TMR材料 h 10 3.3 自由层材料 h 11 3.3 自旋转矩效应与流致反转 h 11 3.4旋档切换开关结构 h 12 结论 h 15 参考文献 h 16 致 谢 h 17 引言 MRAM是磁阻式随机存取存储器(Magneto-resistive Random Access Memory)的缩写。MRAM是一种非挥发性电脑存储(non-volatilecomputer memory，NVRAM)技术，该技术从20世纪90年代以来开始开发，目前已经取得惊人的进展。MRAM技术的支持者认为，MRAM最终将成为占主导地位的并取代其它所有类型的存储器，成为一个真正的“通用存储器”。 GMR和TMR两种特性的发现成就了磁性随机存储器(Magne