中山大学新华学院微机原理与应用课件第06章 半导体存储器.pptVIP

所有的x86 CPU在实模式下都提供20位地址，可寻址空间为1MB。这1MB内存空间是如何分配的呢？本节以IBM PC/XT为例，介绍这1MB内存空间的分配。IBM PC/XT是以8088 为CPU，但该分配方案适用于所有x86 CPU在实模式下的内存分配。 IBM PC/XT中1MB内存空间的分配如图所示。 256KB RAM （系统板） 384KB RAM （扩展板） 128KB RAM 保留（包括显存） 198KB ROM 扩展板 16KB（可在系统板上扩展） 32KB BASIC解释程序 8KB BIOS RAM 640KB 保留 128KB ROM 256KB 00000H 40000H A0000H C0000H F0000H F6000H FE000H 3FFFFH 9FFFFH BFFFFH EFFFFH FFFFFH F5FFFH FDFFFH IBM PC/XT的内存分配 第五节 存储器的新技术 一、DRAM技术 内存条主要由DRAM组成，所以内存条的发展主要体现在DRAM的技术发展上。DRAM技术的发展经历了FPM DRAM、EDO DRAM、SDRAM、RDRAM、DDR SDRAM以及最新推出的DDRII SDRAM。 FPM DRAM EDO DRAM SDRAM RDRAM DDR SDRAM DDR II 二、闪速存储器（Flash） 闪速存储器是当前存储技术中发展最快的一种，它几乎拥有上述提到的所有优点：存储密度高、成本低、非易失性、快速（读取，而非写入）以及电可擦性等。这些优点使其广泛地运用于各个领域，包括嵌入式系统，如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表和汽车器件，同时还包括新兴的语音、图像、数据存储类产品，如数字相机、数字录音机和个人数字助理（PDA）。 从应用的角度来看，Flash和EEPROM技术十分相似，主要区别是Flash存储器使用块存储技术，即Flash一次擦写一个扇区，而不是一个字节一个字节地擦写。Flash相对于传统的存储器主要的优势为： （1）不挥发性，相对于SRAM，Flash不需后备电源来保持信息； （2）易更新性，Flash具有直接电可擦写功能； （3）高可靠性，Flash一般都可以重复擦写1~10万次，有的甚至达到100万次，数据通常可以保存超过十年。 同一物理存储器占用两组地址： F0000H~F1FFFH B0000H~B1FFFH A18不参与译码 A19 A17 A16 A15 A14 A13 ≥1 到 6264 CS1 [ 应用举例 ] 选择使用74LS138译码器构成译码电路 Y0# G1 Y1# G2A Y2# G2B Y3# Y4# A Y5# B Y6# C Y7# 片选信号输出 译码允许信号 地址信号 （接到不同的存储体上） 74LS138逻辑图： 74LS138的真值表：（注意：输出低电平有效） 可以看出，当译码允许信号有效时，Yi是输入A、B、C的函数，即 Y=f(A,B,C) 1 1 1 1 1 1 1 1 X X X 其 他 值 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0 C B A G1 G2A G2B 一个静态RAM模块设计的例子。后一页图为模块的接口。模块的总容量为16K字节，选用的存储器件是8片Intel 6116芯片，单片容量为2K×8位。假定CPU选8086，而且工作在最大组态，因而，存储器件阵列必须分为高字节库部分和低字节库部分。高字节库的寻址由BHE控制，低字节库的寻址则由A0控制。 假设系统原来已经配备128K字节的RAM存储器，其物理地址从0000H开始，而所要设计的16K字节RAM模块作为对原有存储器的扩展，其物理地址与原有RAM存储器地址相连接 。因此，16K字节模块的地址空间范围是：20000H～23FFFH。可见，该模块内的任一个单