立方氮化硼晶体的电学性质与电流控制微分负阻ViewTableofContents.PDFVIP

立立方方氮氮化化硼硼晶晶体体的的电电学学性性质质与与电电流流控控制制微微分分负负阻阻 窦庆萍 and 马海涛 Citation: 中国科学E辑: 技 科学 38, 1952 (2008); doi: 10.1360/ze2008-38-11-1952 View online: htt :///doi/10.1360/ze2008-38-11-1952 View Table of Contents: htt :/// ublisher/sc /journal/Sci Sin Tech E/38/11 Published by the 《中国科学》杂志社 Articles you may be interested in 微小尺寸立方氮化硼线性电光系数的测量 Science in China Series E-Technological Sciences (in Chinese) 35, 271 (2005); 立方氮化硼薄膜的织构生长 Chinese Science Bulletin 40, 499 (1995); 立方氮化硼薄膜的脉冲等离子体室温生长 Chinese Science Bulletin 40, 414 (1995); Small onion-like BN leads to ultrafine-twinned cubic BN SCIENCE CHINA Materials 单层氮化硼涂层实现固体表面改性 Chinese Science Bulletin 62, 2312 (2017); 中国科学 E 辑 : 技术科学 2008 年 第 38 卷 第 11 期 : 1952 ~ 1957 SCIENCE IN CHINA PRESS 立方氮化硼晶体的电学性质与电流控制 微分负阻 ①* ② 窦庆萍 , 马海涛 ① 暨南大学珠海学院计算机系, 珠海 519070; ② 北京航天二院二十五所, 北京 100080 * E-mail: douqingping@ 收稿日期: 2007-01-06; 接受日期: 2007-06-25 暨南大学珠海学院优秀人才科研基金项目(批准号: 510062)资助 摘要 研究了非故意掺杂的n 型cBN 晶体的电学性质. 所研究 关键词 的cBN 晶体是由六角氮化硼在高温高压下以镁粉为催化剂转化 非故意掺杂的n 型cBN 晶体 而来. 在室温下, 测量了cBN 晶体的伏安特性, 为非线性伏安特 非线性伏安特性 5~1.5×105 V/cm 范围内时, cBN晶体发生电 电流控制微分负阻 性. 当电场强度在 10 击穿. 同时, cBN晶体发出波长为380 ~ 400 nm的蓝紫光. 继续 测量cBN 晶体伏安特性, 发现cBN 晶体出现电流控制型微分负 阻. 这些实验现象是可以重复的. 立方氮化硼(cBN) 晶体是一种人工合成晶体. 到目前为止, 天然的cBN 晶体还没有被发现. 1957 年, Wontorf首次成功合成了具有闪锌矿结构的cBN 晶体[1]. cBN晶体与金刚石在性质上非 常相似, 这两种材料都具有高硬度、高热传导率、高熔点的特点. 与金刚石相比, cBN 晶体具 有更好的抗高温性、抗氧化性、化学稳定性, 以及较好的半导体性质. 通过选择合适的杂质, 既 可以得到n型的cBN 晶体, 也可以得到p型的cBN 晶体. cBN晶体是最简单的Ⅲ- Ⅴ族化合物半导 体材料, 而在Ⅵ族和Ⅲ- Ⅴ族的所有材料中, cBN晶体具有最宽的禁带宽度(大约是 6.1 ~ 6.3 eV, 间接带隙半导体[2,3]). 我们对cBN 晶体二阶非线性光学性质进行了初步的研究[4,5], 得到了cBN 晶体的线性电光