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三章 半导体摄像器件
一、CCD摄像器件的主要类型
三种类型:行间转移式(IT)CCD、帧行间转移
式(FIT)CCD、帧间转移式(FT)CCD。
Charge-Coupled
Devices
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CCD摄像器件的类型
第三章
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1 行间转移式CCD
(1)基本结构:图(a)
感光列:光照时,感光单元产生光电子。感光
单元上加正电压,光电子存储在感光单元内。
垂直转移寄存器:上面有遮光层,不能感光,
加脉冲控制电子的存储和转移。
溢出漏:在感光单元底下。光照过强时,过量
的电子从感光单元流到溢出漏中排出。在高亮
点处不会出现 开花”和 拖慧尾”现象。
水平读出寄存器:加驱 脉冲使电荷向输出端
转移。
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(2 ) 电荷转移过程
在场扫描正程期间,光图像在CCD的感光部分形成
电荷像,每个感光单元内的电荷量与该点照度成比
例。在场逆程期间,全部电荷包迅速从感光列转移
到其左侧的垂直转移寄存器中。
在下一个场正程时,感光列产生新的电荷像;同
时,上一场的电荷包在垂直转移寄存器中一行行地
向水平转移寄存器转移。
在每个行逆程期间,向水平转移寄存器移进一行电
荷包;在行正程期间,水平转移寄存器中的电荷包
逐一向输出端转移,并形成信号电压送到外电路。
电荷包的转移靠时钟脉冲作用,移 速度恒定。
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2 FT帧转移式CCD
(1)基本结构:
感光区:能感光,产生电荷像。感光单元两
列之间有阻挡层,没有垂直转移寄存器。
存储区:与感光区像素数目相同,被遮光。
水平读出寄存器:加驱 脉冲使电荷向输出
端转移。
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(2 )电荷转移过程:
场逆程,全部电荷包从感光区转移到存储区
内。0.5mS
场正程,电荷电从存储区逐行转移到水平转移
寄存器。
行消隐,向水平转移寄存器转移一行电荷包,
行正程,水平转移寄存器内的电荷包移出,形
成信号电压。
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(2 )FT CCD 的特点:
FT式CCD 的感光区上的光利用率高。IT式
CCD的感光面积与总像面之比为35 %左右。
IT式CCD感光单元之间的距离较大,在水平
方向会有较大的混叠失真。FT式CCD的像素
排列紧密,混叠失真较小。
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