SiC-MOSFET驱动电路及实验分析.pdfVIP

第 3期 电 源 学 报 NO．3 2013年 5月 JournalofPowerSupply Mav．2013 SiCMOSFET驱动电路及实验分析 张 旭，陈 敏 ，徐德鸿 (浙江大学，浙江 杭州310027) 摘要 ：根据 SiCMOSFET开关特性 ，设计 了一种 SiCMOSFET的驱动电路 ，在此基础上采用双脉冲测试方法 ， 对 SiCMOSFET的开关时间、开关损耗等进行 了实验测量 ，分析 了不 同驱动电阻对 SiCMOSFET开关时间、开关损 耗等的影响。 关键词 ：SiCMOSFET；驱动电路 ；开关时间 ；开关损耗 中图分类号 ：TM13 文献标志码 ：A 文章编号 ：2095—2805(2013)03—0071-06 引言 1SiCMOSFET开关过程及对驱动要求 SiC器件具有禁带宽度高、饱和电子漂移速度 SiCMOSFET具有 MOSFET的一般特性 。属于 高、临界电场击 穿强度高 、介 电常数低和热导率高 电压控制型器件。由于存在寄生 电容，在其开通和 等特性，因此基于SiC的电力电子器件阻断电压高、 工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻 低和开关损耗小的优势。采用 SiC电力 电子器件可 ㈣ 以进一步提升电力电子装置的功率密度及效率口1。 SiCMOSFET与一般的MOSFET驱动电路有着 相似点，但是在使用中也要注意其特殊要求 。文献 2『]采用了光耦隔离的驱动 电路 ，为了抑制栅极 电压 振荡 ，在栅源极上并联 了一个电容 。文献[3]采用的 一 种驱动电路 ，在 MOSFET的关断瞬间，把驱动的 栅极通过一个晶体管连接到负 电源来抑制栅极 电 图1 SiC MOSFEI开 关过程 压的振荡。在文献 ]提出的驱动电路中，为了增大 关断的过程中，驱动电路必须对寄生电容进行快速 驱动能力 。在驱动输 出端加 了推挽 电路。采用光耦 的充放电。图 1给出了SiCMOSFET开关过程的波 驱动功率器件可能导致驱动能力不够 ，而增加推挽 形[51。根据对 SiCMOSFET开关特性的分析 ，可以得 电路则增加了电路的复杂性。本文在此基础上 ，探 到其对驱动主要有 以下几个方面的要求6[1： 讨了SiCMOSFET的驱动电路 ，并设计了双脉冲实 (1)触发脉冲有 比较快 的上升速度和下降速 验 ，对 SiCMOSFET的开关时间、开关损耗等动态性 度 ，脉冲边沿要陡。 能进行了测量 ．分析了不同驱动 电阻对 SiCMOS— (2)驱动回路的阻抗不能太大 ，开通时快速对 FET开关特性的影响。 栅极电容充电，关断时栅极 电容能够快速放 电。 (3)驱动电路要能提供足够大的驱动电流 。 (4)要有足够高的驱动 电压，这样可 以减小 收稿 日期 ：2013—02—02 MOSFET的导通损耗。 作者简介 ：张旭(1987一)，男，河南南阳人，硕士研究生，主要研究方 向 为三相 PWM整流器及新型功率器 件应用研 究 ．Tel： (5)最好在关断的时候给驱动提供负压，防止 E—mail：zhangxu0360@126．tom．