少突胶质细胞在早期放射性脑损伤中变化与作用的实验研究-神经病学专业论文.docx

兰兰里坚垦垒竖堕二!!!鲨墅堡堕塑丝!竺垡!：堡旦塑茎鉴鲨壅 兰兰里坚垦垒竖堕二!!!鲨墅堡堕塑丝!竺垡!：堡旦塑茎鉴鲨壅 !竺塑茎 中文摘要 少突胶质细胞在早期放射性脑损伤中变化与作用的实 验研究 目前电离辐射是占全身肿瘤l，3的大脑原发性、继发性肿瘤和头颈部肿瘤主要 的、有时甚至是唯一的治疗措施，并且越来越多的用于治疗脑动脉瘤及癫痫等其 它非肿瘤性中枢神经系统疾病。但可能发生的近期与远期放射性脑脊髓损伤会使 患者的生活质量明显下降，因此限制了放射治疗措施的广泛应用。因此研究放射 性脑损伤的发病机理和治疗药物对放射医学和肿瘤放射治疗学的发展有重要的理 论意义和应用价值。 研究发现，少突胶质细胞和血管内皮细胞是电离辐射的靶细胞；中枢神经系统 亚急性放射性反应与电离辐射后早期脑组织的短暂脱髓鞘有关：晚期放射性反应 与白质病变、迟发性脱髓鞘和少突胶质细胞脱失有关。由此可见，少突胶质细胞 的放射性反应是脑组织电离辐射后的主要反应之一，并可能是促成放射性脑损伤 和修复的重要因素。因此，研究少突胶质细胞谱系(少突胶质祖细胞、未成熟少 突胶质细胞、成熟少突胶质细胞)放射性反应，尤其是早期变化，有助于了解放 射性脑损伤和修复机制，为早期干预提供理论依据。 一、电离辐射后早期少突胶质细胞反应的研究 目的 明确正常大鼠大脑少突胶质前体细胞(少突胶质祖细胞、未成熟少突 胶质细胞和成熟少突胶质细胞)分布特点：探讨电离辐射后早期大鼠大脑少突胶 质前体细胞放射性反应及其与照射剂量的相关性，并分析其与放射性脑损伤和修 复的关系。方法 用直线加速器产生的4 MeV电子线对健康成年SD大鼠作单次 全脑照射．照射剂量分别为30Gy、10Gy、2Gy和0Gy，观察时间为照射后ld、3d、 7d、14d和29d。采用免疫组织化学方法检测大鼠大脑皮质NG2、04、CNPase祁 MyTI照射后表达变化并计数阳性细胞数量，分析其与照射剂量的相关性。结果1 30Gv组大鼠照射后20d左右照射野脱毛明显，各组大鼠体重变化和神经行为学评 分无统计学差异。2 0Gy组大鼠大脑皮质分布有较多的NG2和04阳性细胞；照 少突腔质细胞柏单{{jj放射1_：}1躺于}{忉中，殳化’j仟用的实验研究 少突腔质细胞柏单{{jj放射1_：}1躺于}{忉中，殳化’j仟用的实验研究 中义摘曼 射后ld，2Gy照射组大鼠NG2和04阳性细胞数无明显变化，10Gy和30Gv照 射组大鼠NG2和04阳性细胞数较0Gy组明显减少：照射后7d和14d时NG2和 04阳性细胞最多，其中2Gy和10Gy组大鼠阳性细胞数明显多于oGy组，各组大 鼠照射后28d时NG2和04阳性细胞数不同程度减少：各观察时间点的NG2和 04阳性细胞数增加率与照射剂量存在负相关。3 OG，组大鼠大脑皮质有较多的 均匀分布的CNPase阳性细胞；10Gy和30Gy组大鼠大脑皮质CNP髂e阳性细胞数 于照射后ld和3d时显著减少，其余各观察时间各组大鼠CNPase阳性细胞数无显 著差异；各观察时间点CNPase阳性细胞数增力Ⅱ率与照射剂量存在负相关，4 0Gy 组大鼠大脑皮质MyTl阳性细胞较少；照射后1d，各照射组大鼠大脑皮质MyTl 阳性细胞数开始增加，其余各时间点各照射组大鼠MyTl阳性细胞数显著多于OGy 组大鼠；各观察时间点CNPase阳性细胞数增加率与照射剂量呈负相关。结论l 正常成年大鼠脑内分布有较多的少突胶质前体细胞，其中大脑皮质中的少突胶质 祖细胞与成熟少突胶质细胞的比例接近于1：l。2照射后早期，大鼠脑内少突胶 质前体细胞和成熟少突胶质细胞数目有时程性变化．并于照射剂量相关，并提示 照射后早期少突胶质前体细胞分裂增生，并分化为成熟少突胶质细胞，参与早期 放射性脑损伤的修复过程。3 萨常成年大鼠脑内MyTl表达较少，照射后早期 MyTl表达显著增加，提示其参与少突胶质前体细胞的发育过程，调节髓鞘蛋白基 因的转录，参与放射性脑损伤的修复过程。 二、 电离辐射后早期髓鞘蛋白相关基因表达变化的研究 目的 探讨电离辐射后早期髓鞘蛋白相关基因表达变化及其与照射剂量的相 关性，并分析其与放射性脑损伤和修复的关系。方法 动物分组及全脑照射动 物模型制作同论文第一部分。采用5 7末端标记地高辛的寡核苷酸探针荧光原位核 酸分子杂交检测大鼠大脑皮质PLP mRNA、MBP mRNA和MyTl mRNA照射后表达变化， 并计数阳性细胞数量，分析其与照射剂量的相关性。结果 1 0Gy组大鼠大脑 皮质有较多的均匀分布的PLP mRNA阳性细胞，MBP mRNA阳性细胞数稍少： 10G