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模拟电子技术知识点总结 　　模拟电子技术复习资料总结　　第一章半导体二极管　　一.半导体的基础知识　　1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。　　3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。　　4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。　　*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素。　　*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素。　　6.杂质半导体的特性　　*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。　　*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN结　　*PN结的接触电位差---硅材料约为~，锗材料约为~。*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性　　二.半导体二极管　　*单向导电性------正向导通，反向截止。*二极管伏安特性----同ＰＮ结。　　*正向导通压降------硅管~，锗管~。*死区电压------硅管，锗管。　　3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳模拟电子技术知识点总结)度影响　　温度升高，输入特性曲线向左移动。　　温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低频小信号等效模型hie---输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示；　　hfe---输出端交流短路时的正向电流传输常用β表示；　　四.基本放大电路组成及其原则　　1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.组成原则----能放大、不失真、能传输。　　比，　　五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析　　*概念---直流电流通的回路。*画法---电容视为开路。*作用---确定静态工作点　　*直流负载线---由VCC=ICRC+UCE确定的直线。　　*电路参数对静态工作点的影响　　1）改变Rb：Q点将沿直流负载线上下移动。　　2）改变Rc：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。2.交流通路与动态分析　　*概念---交流电流流通的回路　　*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用---分析信号被放大的过程。　　*交流负载线---连接Q点和VCC’点VCC’=UCEQ+ICQRL’的直线。　　3.静态工作点与非线性失真　　截止失真　　*产生原因---Q点设置过低　　*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法---减小Rb，提高Q。饱和失真　　*产生原因---Q点设置过高　　*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC。4.放大器的动态范围　　Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。范围　　*当＞时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。　　*当＜时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2。　　*当＝，放大器将有最大的不失真输出电压。六.放大电路的等效电路法1.静态分析　　静态工作点的近似估算　　Q点在放大区的条件　　欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc。2.放大电路的动态分析　　*放大倍数　　*输入电阻　　*输出电阻　　七.分压式稳定工作点共放大电路的等效电1．静态分析　　射路法　　模拟电子技术复习资料总结　　第一章半导体二极管　　一.半导体的基础知识　　1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。　　3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。　　4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。　　*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素。　　*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素。　　6.杂质半导体的特性　　*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。　　*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN结　　*PN结的接触电位差---硅材料约为~，锗材料约为~。*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏