材料的导电特性与温度的关系实验.DOCVIP

PAGE PAGE 5 材料的导电特性与温度的关系实验（热敏电阻） 热电偶、半导体热敏电阻、制冷电堆等早已广泛应用于我们日常生活生产的加热、制冷、温.度控制及其它电子器件中, 而高分子导电材料在静电屏蔽、温度控制和面发热体等方面有重要应用，因此，热电特性是材料的物理性质中的一个重要方面，本实验研究了不同材料的热电特性的智能化综合测量和数据处理方法。 实验目的 1.了解金属、半导体热敏电阻、pn结和高分子复合电导材料的电输运的微观机制及其电导温度特性； 2.测量半导体热敏电阻的电阻-温度曲线； 3.掌握计算机处理实验数据并拟合得到热敏电阻的温度系数（热敏指数）； 4.了解半导体制冷电堆制冷的原理； 5.测量制冷电堆的制冷系数和制冷半导体的塞贝克系数。 实验原理 各种材料由于其微观电输运的载流子种类及性质数量的不同而使它们的导电特性差异很大，同时受温度影响也不同。下面简单介绍几种材料的导电特性。 1．金属导电的载流子是自由电子，它的导电能力与自由电子的浓度，巡游特性和晶格散射相关。在温度改变时，由于自由电子的浓度和巡游特性与温度关系不大，从而晶格散射是影响金属电导的主要因素，随着温度的升高，晶格的热振动加剧，对自由电子的散射加强，导致金属的电导率下降，在温度不太低的情况下，大部分金属的电阻率与温度呈线性关系： （1） 一般金属导体的电阻率随温度的升高而增大，但其电阻的变化幅度一般不大（1.710-7T-1）。 2．半导体具有与金属很不相同的电阻温度关系，一般而言，在较大的温度范围内，半导体都具有负的电阻温度系数。半导体的导电机制比较复杂，起电输运作用的载流子为电子或空穴。载流子的浓度受温度的影响很大，因此半导体的电阻率受温度影响也很大。随着温度的升高，热激发的载流子数量增加，导致电阻率减小，因此呈现负的温度系数的关系。但是实际应用的半导体往往通过搀杂工艺来提高半导体的性质，这些杂质原子的激发，同样对半导体的电输运性能产生很大的影响。同时在半导体中还存在晶格散射、电离杂质散射等多种散射机制存在，因此半导体具有非常复杂的电阻温度关系，往往不能用一些简单的函数概括，但在某些温度区间，其电阻温度关系可以用经验公式来概括，如本实验中用的半导体热敏电阻，它的阻值与温度关系近似满足下式： （2） 式中为时的电阻（初值），是温度为 时的电阻，为绝对温度，为温度系数（热敏指数）。在工作温度范围内并不是一个严格的常数，但在我们的测量范围内，它的变化不大。将上式变形得到： （3） 以为纵轴，为横轴做图，直线的斜率即为B值。 3．pn结构成的二极管和三极管的伏安特性对温度有很大的依赖性，利用这一点可以制造pn结温度传感器和晶体管温度传感器，本实验用的测温元件为二极管温度传感器。二极管的正向电流I、电压U满足下式： （4） 其中q为电子电荷；k为玻尔兹曼常数；T为绝对温度；Is为反向饱和电流（和pn结材料的禁带宽度以及温度等有关），可以证明[*1] (5) 其中C是与pn结结面积和杂质浓度等有关的常数；也是常数；U0为绝对零度时pn结材料的导带底和价带顶间的电势差。 将(5)式代入(4)式，两边取对数可得 (6) 其中非线性项相对甚小，可以忽略[*2] 因此，（6）式可写为 (7) 其中 (8) 为负值，如=-2.3mV/?C 即温度每升高1?C，电压减小2.3mV，这样通过测量不同温度时 二极管两端的正向电压可以测得温度，这正是pn结传感器的测温原理。通过实验可以测量值，并利用其它温度计给它定标，从而制作一个二极管温度计。由电压温度曲线外推，还可求得0K时半导体材料的禁带宽度。 图1 不同材料电阻随温度的变化曲线 (9) 4．对于包括图1所述CB-PP样品在内的大多数高分子材料，其导电特性都没有理论成型的解析表达式，而这些特性已应用于生产实践中。根据经验公式，上述样品电阻与温度关系简化为，其中t为摄氏温度，A、B为待定系数，设x=exp(t/10)，作变量代换后,由各Ri和ti 用最小二乘法可得相关系数，并得知所设公式的真实程度。若线性相关，确定A、B的值后可得到一经验公式。对上式也可由对数坐标作图法得出结果。 5．超导电材料：1911年，H.Kamerlingh-Onnes发现，随着温度的降低，汞的电阻先平稳的减少，4.2K附近时,突然降为零,这种状态称为超导态，突变温度称临界温度。1986年以后，高温超导体相继被发现，转变温