射频反应磁控溅射ZnO薄膜能带工程相关问题研究-等离子体物理专业论文.docx

大连理工大学硕士学位论文摘 大连理工大学硕士学位论文 摘 要 ZnO具有纤锌矿晶体结构，禁带宽度为3．37 eV，激子束缚能为60 meV，可以实现 室温下的激子发射。氧化锌作为新一代的宽带半导体材料，具有广泛的应用，如：ZnO 薄膜可以制成表面声波谐振器，压电器件，GaN蓝光薄膜的过渡层以及透明导电膜等。 在ZnO光电特性研究中，制备结型器件是ZnO薄膜实用化的关键。而实现ZnO基结型 器件的前提也自然成了这一领域关注的焦点，即：ZnO可靠P型掺杂的实现和ZnO能 带的调节。 本文采用RF反应磁控溅射方法在Si000)和石英衬底上生长了ZnO薄膜，ZnO／MgO 多量子阱以及Znl．xcdxO合金薄膜。对薄膜的表面形貌、结构、成分、光学、电学特性 进行了检测与分析。分为以下四个部分： I采用反应射频磁控溅射方法，在Si(100)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO 薄膜。利用原子力显微镜、透射电子显微镜、x．射线衍射分析、拉曼光谱等表征技术， 研究了沉积温度对ZnO薄膜的表面形貌、晶粒尺度、应力状态等结晶性能的影响；通 过沉积温度对透射光谱和光致荧光光谱的影响，探讨了ZnO薄膜的结晶特性与光学性 能之间的关系。研究结果显示：在室温一500℃的范围内，ZnO薄膜的晶粒尺寸随沉积 温度的增加而增加，在沉积温度为500℃时达到最大；当沉积温度为750℃时，ZnO薄 膜的晶粒尺度有所减小：在室温一750℃的范围内，薄膜中ZnO晶粒与Si基体之间均 存在着相对固定的外延关系；在沉积温度低于500"C时，制备的ZnO薄膜处于压应变状 态，而750"C时沉积的薄膜表现为张应变状态。沉积温度的不同导致ZnO薄膜的折射率、 消光系数、光学禁带宽度以及光致荧光特性的变化，沉积温度对紫外光致荧光特性起着 决定性的作用。此外，我们探讨了影响薄膜近紫外光致荧光发射的可能因素。 Ⅱ采用反应射频磁控溅射法，在Si000)基片上制各了高c轴择优取向的ZnO薄膜， 研究了退火温度对ZnO薄膜的晶粒尺度、应力状态、成分和发光光谱的影响，探讨了 ZnO薄膜的紫外发光光谱和可见发光光谱与薄膜的微观状态之间的关系。研究结果显 示：在600·10000c退火温度范围内，退火对薄膜的织构取向的影响较小，但薄膜的应 力状态和成分有比较明显的变化。室温下光致发光光谱分析发现：薄膜的近紫外光谱特 征与薄膜的晶粒尺度和缺陷状态之间存在着明显的对应关系；而近紫外光谱随退火温度 升高所呈现的整体峰位红移是各激子峰相对比例变化的结果。此外，研究结果显示：薄 膜的可见发光光谱对退火温度极为敏感。 射频反应磁控溅射ZnO薄膜能带工程相关问题研究Ⅲ采用反应射频磁控溅射方法，在Si(100)基片上制各了具有高c轴择优取向的 射频反应磁控溅射ZnO薄膜能带工程相关问题研究 Ⅲ采用反应射频磁控溅射方法，在Si(100)基片上制各了具有高c轴择优取向的 ZnO／MgO多量子阱。利用X射线反射、X射线衍射、电子探针，光致荧光光谱等表征技 术，研究了ZnO／MgO多量子阱的结构、成份和光致荧光特性。研究结果表明，多量子 阱的调制周期在1．$5-22．3 nm之间，所制备的多量子阱具有量子限域效应，导致了室温 光致荧光蜂的蓝移，并观测到了量子隧穿效应引起的荧光效率下降。建立了基于多声子 辅助激子复合跃迁理论的室温光致荧光光谱优化拟合方法，通过室温光致荧光光谱拟合 发现，ZnO／MgO比ZnO／ZnMgO多量子阱具有更大的峰位蓝移，探讨了导致光致荧光 光谱展宽的可能因素。 Ⅳ 采用反应射频磁控溅射方法，在Si(100)基片上制备了Znl-xCdxO合金薄膜 (0盘曼o．179)。利用X射线衍射、电子探针、低温、室温光致荧光光谱和霍尔效应等表征 技术，研究了7_n1．xCd。O合金薄膜的结构、成份和光电特性。研究结果表明，在ZnI．xCd。O 合金薄膜的研究中，存在闪锌矿结构；cd的掺入使本征P型的ZnO导电性变成栉型， 并且载流子浓度随着CA含量的增加而迅速增大；掺杂导致的晶体质量的下降使薄膜中 迁移率随Cd含量增加而降低；随着Cd含量的增加室温下的PL光谱强度迅速减小。 关键词：磁控溅射；ZnO薄膜；ZnO／MgO多量子阱；Zn．，Od。0薄膜；微观结构；光致发 光；电学性能 大连理工大学硕士学位论文Abstract 大连理工大学硕士学位论文 Abstract ZnO is a II．V1 wide-band-gap(-3．3eV at room temperature)semiconductor used in optical and electronic device applications such as light emitters，sensors，solar cells， transpar