第三章集成逻辑门电路-Read.PPT

第三章集成逻辑门电路 一些知识概念： 脉冲（脉动和短促） 脉冲信号及其广义的定义 脉冲电路： 1、惰性元件（电阻、电容、电感）组成的线性网络：控制暂态过程的形状和快慢。 2、开关元件（二、三极管、MOS管）组成：接通和断开状态：破坏电路的稳态，使之产生暂态过程。 二、三极管的开关特性 3.2.3MOS管的开关特性 3.2.5 组合逻辑门电路 与非门电路 或非门电路 小结： 1、概述，脉冲电路，开关电路，逻辑体制 2、二极管、三极管、MOS管开关特性（静态和动态） 3、分立元件门电路和组合逻辑门电路（一般了解） * * 实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的电路 构成中规模功能模块的基本单元 逻辑门电路的分类 二极管门电路 三极管门电路 TTL门电路 CMOS门电路 逻辑门电路 分立门电路 集成门电路 逻辑门电路 介绍： 三态门 开路门 概　述 基本逻辑门电路 TTL 集成逻辑门电路 *CMOS 集成逻辑门电路 *TTL 电路和 CMOS 电路的接口 本章小结 3.1 概述 主要要求： 了解逻辑门电路的作用和常用类型。 理解高电平信号和低电平信号的含义。 TTL 即 Transistor-Transistor Logic CMOS 即 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 一、门电路的作用和常用类型 按功能特点不同分 普通门 (推拉式输出) CMOS 传输门 输出 开路门 三态门 门电路 (Gate Circuit) 指用以实现基本逻辑关系和 常用复合逻辑关系的电子电路。 是构成数字电路的基本单元之一 按逻辑功能不同分 与门 或门 非门 异或门 与非门 或非门 与或非门 按电路结构不同分 TTL 集成门电路 CMOS 集成门电路 　　输入端和输出端都用三极管的逻辑门电路。 　　用互补对称 MOS 管构成的逻辑门电路。 高电平和低电平为某规定范围的电位值，而非一固定值。 高电平信号是多大的信号？低电平信号又是多大的信号？ 1 0 高电平 低电平 0 1 高电平 低电平 正逻辑体制 负逻辑体制 由门电路种类等决定 主要要求： 理解二极管的开关特性。 掌握三极管的开关特性。 3.2　基本逻辑电路 了解MOS管的开关特性。 3.2.1 晶体二极管的开关特性 正向导通状态-----导通电阻很小，两端相当于短路 反向截止状态-----等效电阻很大，两端相当于开路 1. 二极管的大信号稳态（静态）工作 理想开关 PN结是半导体器件的核心环节。模拟电路中已讨论 了二极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数 以及二极管的基本电路及其分析方法与应用。 P型半导体中，多数载流子是空穴，N型半导体中，多数 载流子是电子。 扩散电流：由于PN结两边载流子的浓度差别，载流子会从浓度高的一方向浓度低的一方运动，称为扩散运动，它产生扩散电流。 漂移电流：由于电位差的存在，载流子在电场的作用下产生的运动，称为漂移运动，它产生漂移电流。 电位差来自外加电压和电荷积累构成的内电场。 P型区 N型区 空间 电荷区 一、二极管的静态开关特性 当输入 uI 为低电平 UIL，二极管反向截止。 二极管关断的条件和等效电路 当输入 uI 为高电平 UIH，二极管正向导通。 二极管 伏安特性 二、二极管的动态开关特性 产生反向恢复过程的物理机制－存储电荷消散需要时间 用载流子浓度梯度解释：正向电流愈大，电荷的浓度分布梯度愈大，转换为截止时的浓度分布梯度所需的时间也愈长。 用电容的概念理解：正偏时扩散电容较大，存储的电荷也较多，电荷消散所需的时间也较长。 三极管为什么能用作开关？怎样控制它的开和关？ 当输入 uI 为低电平，使 uBE Uth时，三极管截止。 iB ? 0，iC ? 0，C、E 间相当于开关断开。 三极管关断的条件和等效电路 IC(sat) Q A uCE UCE(sat) O iC M N IB(sat) T S 负载线 临界饱和线 饱 和 区 放大区 截止区 uBE Uth B E C 三极管 截止状态 等效电路 uI=UIL uBE + - Uth为门限电压 (一) 三极管的静态开关特性 IC(sat) Q A uCE UCE(sat) O iC M N IB(sat) T S 临界饱和线 饱 和 区 放大区 二、三极管的开关特性 uI 增大使 iB 增大，从而工作点上移， iC 增大，uCE 减小。 截止区 uBE Uth B E C 三极管 截止状态 等效电