模拟电子电路：常用半导体器件资料文档.pptVIP

5 该课程的学习方法 数字信号 　　 当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态； 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 　　 （动画1-4） （动画1-5） 综上所述： 可见， PN 结具有单向导电性。 IS ：反向饱和电流 UT ：温度的电压当量 在常温(300 K)下， UT ? 26 mV 三、 PN 结的电流方程 PN结所加端电压u与流过的电流i的关系为 公式推导过程略 四、PN结的伏安特性 　　i = f (u )之间的关系曲线。 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0 0.5 1.0 –25 –50 i/ mA u / V 正向特性 死区电压 击穿电压 U(BR) 反向特性 图 1.1.10　PN结的伏安特性 反向击穿 齐纳击穿 雪崩击穿 五、PN结的电容效应 　　当PN上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量　　将随之发生变化，使PN结具有电容效应。 电容效应包括两部分 势垒电容 扩散电容 1. 势垒电容Cb 是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。 (a) PN 结加正向电压 （b) PN 结加反向电压 - N 空间 电荷区 P V R I + U N 空间 电荷区 P R I + - U V 　　空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。 势垒电容的大小可用下式表示： 　　由于 PN 结 宽度 l 随外加电压 u 而变化，因此势垒电容 Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。 ? ：半导体材料的介电比系数； S ：结面积； l ：耗尽层宽度。 O u Cb 图 1.1.11（b) 2. 扩散电容 Cd ? Q 是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。 在某个正向电压下，P 区中的电子浓度 np(或 N 区的空穴浓度 pn)分布曲线如图中曲线 1 所示。 x = 0 处为 P 与 耗尽层的交界处 当电压加大，np (或 pn)会升高，如曲线 2 所示(反之浓度会降低)。 O x nP Q 1 2 ? Q 　　当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电容的作用可忽略。 ? Q 　　正向电压变化时，变化载流子积累电荷量发生变化，相当于电容器充电和放电的过程 —— 扩散电容效应。 图 1.1.12 P N PN 结 综上所述： PN 结总的结电容 Cj 包括势垒电容 Cb 和扩散电容 Cd 两部分。 Cb 和 Cd 值都很小，通常为几个皮法 ~ 几十皮法， 有些结面积大的二极管可达几百皮法。 当反向偏置时，势垒电容起主要作用，可以认为 Cj ? Cb。 一般来说，当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作用，即可以认为 Cj ? Cd； 在信号频率较高时，须考虑结电容的作用。 * 第一章　常用半导体器件 河南工业大学信息学院电子系－－模拟电路多媒体课件 　　 信息学院电子与控制工程系 主讲人：王彩红 E-mail :hongcaiwang@163.com —多媒体教学课件 模拟电子技术基础Fundamentals of Analog Electronics华成英、童诗白　　主编 1. 本课程的性质 是一门技术基础课 2. 特点 ?非纯理论性课程 ?实践性很强 ?以工程实践的观点来处理电路中的一些问题 3. 研究内容 以器件为基础、以信号为主线，研究各种模拟电子电路的工作原理、特点及性能指标等。 4. 教学目标 能够对一般性的、常用的电子电路进行分析，同时对较简单的单元电路进行设计。 　　绪　论 建立新概念。 确立新的分析方法。 重点掌握“基本概念、基本电路、基本分析 方法”。 注意电路的基本定理、定律在模拟电路分 析中的应用。 注重实验环节，先理论分析，后实践， 然 后再对实验的结果进行分析。 6. 成绩评定标准 　　　　　　　实验　　　　　　　20 % 　　　　　　　作业+考勤 10 % 　 　　　　　　　期终考试　　　　　70 % 7. 教学参考书 康华光主编，《电子技术基础》 模拟部分 第三版，高教出版社 童诗白主编，《模拟电子技术基础》 第二版，高教出版社 陈大钦主编，《模拟电子技术基础问答：例题 ? 试题》，华工出版社 　　前　言 课外阅读教材： 1.谢自美 电子线路设计.实验.测试