模拟电子简明教本 第1讲 11-12资料文档.pptVIP

* 第一节 半导体的特性 * 第二节 半导体二极管 第一节 半导体的特性 本征半导体 杂质半导体 第1章 半导体器件 1. 半导体(semiconductor) 共价键Covalent bond 半导体的定义： 将导电能力介于导体和绝缘体之间的一大类物质统称为半导体。 大多数半导体器件所用主要材料是硅和锗 一、本征半导体(intrinsic semiconductors) 价电子 在硅(或锗)的晶体中, 原子在空间排列成规则的晶格。 晶体中的价电子与共价键 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 2. 本征半导体(intrinsic semiconductors) 纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。 在本征半导体中，由于晶体中共价键的结合力很强， 在热力学温度零度（即T = 0K，）时， 价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚， 晶体中不存在能够导电的载流子， 半导体不能导电，如同绝缘体一样。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 本征半导体中的载流子 带负电的自由电子 Free electron 带正电的空穴 hole 如果温度升高， 少数价电子将挣脱共价键束缚成为自由电子。 在原来的共价键位置留下一个空位， 称之为空穴。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 半导体中存在两种载流子： 带负电的自由电子和带正电的空穴。 在一定温度下电子 - 空穴对的产生和复合达到动态平衡。 在本征半导体中， 两种载流子总是成对出现 称为 电子 – 空穴对 本征载流子的浓度对温度十分敏感 电子-空穴对 两种载流子浓度相等 1. N型（或电子型）半导体 (N-type semiconductor) 二、 杂质半导体 则原来晶格中的某些硅原子将被杂质原子代替。 杂质原子与周围四个硅原子组成共价键时多余一个电子。 这个电子只受自身原子核吸引，在室温下可成为自由电子。 在4价的硅或锗中掺入少量的5价杂质元素， 在本征半导体中掺入某种特定的杂质，就成为杂质半导体。 +5 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 +5 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 失去自由电子的杂质原子固定在晶格上不能移动， 并带有正电荷，称为正离子。 在这种杂质半导体中， 电子的浓度大大高于空穴的浓度。 因主要依靠电子导电， 故称为电子型半导体。 多数载流子 Majority carrier 少数载流子 Minority carrier 5价的杂质原子可以提供电子，所以称为施主原子。 +3 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 在硅或锗晶体中掺入少量的3价杂质元素， 空位 2. P型半导体(P-type semiconductor) 当它与周围的硅原子组成共价键时， 将缺少一个价电子， 产生了一个空位。 空位为电中性。 硅原子外层电子由于热运动填补此空位时， 杂质原子成为负离子， 硅原子的共价键中产生一个空穴。 在这种杂质半导体中，空穴的浓度远高于自由电子的浓度。 +3 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 在室温下仍有电子-空穴对的产生和复合。 多数 载流子 P型半导体主要依靠空穴导电，所以又称为空穴型半导体。 3价的杂质原子产生多余的空穴，起着接受电子的作用，所以称为受主原子。 少数 载流子 在杂质半导体中： 杂质浓度不应破坏半导体的晶体结构， 多数载流子的浓度主要取决于掺入杂质的浓度； 而少数载流子的浓度主要取决于温度。 杂质半导体的优点： 掺入不同性质、不同浓度的杂质， 并使P型半导体和N型半导体以不同方式组合， 可以制造出形形色色、品种繁多、 用途各异的半导体器件。 总结 第二节 半导体二极管 PN结及其单向导电性 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 稳压管 - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - 1. PN结中载流子的运动 - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - 空间电荷区 内电场 Uho 又称耗尽层，即PN结。 最终扩散(diffusion)运动与漂移(drift)运动达到动态平衡，PN结中总电流为零。 内电场又称阻挡层，阻止扩散运动，却有利于漂移运动。 硅约为（0.6~0.8）V锗约为（0.2~0.3）V 一、PN结及其单向导电性 扩散 漂移 正向电流 外电场削弱了内电场有利于扩散运动，不利于漂移运动。 空间电荷区变窄 2. PN结的单向导电性 加正向电压 + - U - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - R E 耗尽层 内电场 Uho - U 外电场 I 称