集成电路设计与制造综合性实验讲义.docVIP

实验一：半导体工艺试验 一 实验目的 1 熟悉半导体工艺的一般步骤。 2 掌握半导体工艺各个步骤的要求。会计算方块电阻。 3 牢记温度控制、溶液配比要求。 二 实验原理 半导体工艺建立在一些已经成熟的工艺步骤基础上，为了了解其生产过程，下面我们就了解这些工艺步骤。半导体中基本的工艺步骤是：氧化层生长、热扩散、光刻、离子注入、淀积（蒸发）和刻蚀等步骤。 （一）氧化 氧化是在硅片表面生长一层二氧化硅（）膜的过程。这层膜的作用是：保护和钝化半导体表面；作为杂质选择扩散的掩蔽层；用于电极引线和其下面硅器件之间的绝缘；用作MOS电容和MOS器件栅极的介电层等等。其实现的方法有：高温氧化（热氧化）、化学气相淀积（CVT）、阳极氧化、溅射等。 氧化即生长在硅片表面上，也向硅片里面延伸，如图1所示。 一般氧化层约45﹪的厚度是在初始表面上形成，46﹪是在初始表面以下生成。通常氧化层的厚度，薄的可以小于500A（栅氧化层），厚的可以大于1000?（场氧化层）。氧化的范围为700—1100℃,氧化层的厚度和它的生长时间成比例。 常用的氧化方法是高温氧化。 所以这里，我们着重强调一下高温氧化。高温氧化就是把硅衬底片置于1000℃以上的高温下，并通入氧化性气体（如氧气、水汽），使衬底本身表面的一层硅氧化成。高温氧化又分为：干氧氧化、湿氧氧化和水汽氧化三种。 实践表明，干氧氧化速率慢，但所得到的二