传感器模版课件.ppt

光敏电阻已广泛应用于控制路灯自动点熄电路、照相机自动曝光电路、照度计、冲床自动断电器和其它自动控制装置。 (2)压电式传感器 我们知道晶体是各向异性的，非晶体是各向同性的。某些晶体介质，是不具有对称中心的晶体物质。晶体介质沿着一定方向受到机械力作用发生形变时，就产生了极化效应；当机械力撤掉之后，又会重新回到不带电的状态。也就是受到压力的时候，某些晶体可能产生出电的效应，这就是所谓的压电效应。科学家就是根据这个效应研制出了压电传感器，压电传感器就是利用压电材料的压电效应，将被测量转换为电荷输出的传感器。 压电传感器 压电传感器中使用的压电材料主要有石英、酒石酸钾钠和磷酸二氢铵。其中石英（二氧化硅）是一种天然晶体，压电效应就是在这种晶体中发现的。在一定的温度范围之内，压电性质一直存在，但温度超过这个范围之后，压电性质完全消失。由于随着应力的变化电场变化微小（也就说压电系数比较低），所以石英逐渐被其他的压电晶体所替代。酒石酸钾钠具有很大的压电灵敏度和压电系数，但是它只能在室温和湿度比较低的环境下才能应用。磷酸二氢铵属于人造晶体，能够承受高温和相当高的湿度，已经得到了广泛的应用。 现在压电效应也应用在多晶体上，比如现在的压电陶瓷，包括钛酸钡压电陶瓷、锆钛酸铅系压电陶瓷、铌酸盐系压电陶瓷等等。钛酸钡压电陶瓷具有比较高的压电系数和介电常数，但是机械强度不如石英。铌酸盐系压电陶瓷是以铁电体铌酸钾和铌酸铅为基础的，铌酸铅的介电常数较低，在铌酸铅中用钡或锶代替一部分铅，可以得到具有较高机械品质的铌酸盐压电陶瓷。锆钛酸铅系压电陶瓷压电系数比较高，在锆钛酸铅的基方中添加一两种微量元素，可以获得不同性能的锆钛酸铅系压电陶瓷材料。 压电式加速度传感器在飞机、汽车、船舶、桥梁和建筑的振动和冲击测量中已经得到了广泛的应用，同时它在航空领域中也发挥着不可估量的作用。压电式传感器可以用于发动机内部燃烧压力与真空度的测量；也可以用于军事工业，例如用它来测量枪炮子弹在膛中击发的一瞬间膛压的变化和炮口的冲击波压力。 5.磁敏传感器 近三十年来，磁敏传感器产业发展迅猛。现在可以说“任何一台计算机、一辆汽车、一家工厂离开磁敏传感器就不能够正常工作”。同时，磁敏传感器也深入到人们的日常家庭生活中，许多家用电器如收录机、电视录像机、空调、洗衣机等都大量地使用着磁敏传感器。实际上磁敏传感器应用范围上及天文(天体运行、演变 的磁场检测等)，下到地心(地心磁场变化 的监测、地质年代变化的检测等)，中至 人类自身(疾病诊断等)以及人类社会生活 的各个方面。 磁敏传感器是将磁场信息转换成各种有用信号的装置，它是各种测磁仪器的核心。磁敏传感器主要用于检测磁场，但是与人们相关的磁场范围非常宽，如地磁场约为5×10-5T，人类心脏磁场约为10-11T，人的脑电波磁场更加微弱，约为10-13T。单单依靠一种磁敏传感器是不可能检测如此宽范围的磁场，所以只能相应地开发各种类型的磁敏传感器。各种磁敏传感器的检测限度如图： 半导体磁敏电阻材料主要是InSb、InAs晶体或薄膜以及InSb-NiSb共晶体和InSb共晶薄膜等。InSb磁敏电阻分为体型和薄膜型两种。体型是将厚度为300-600微米的InSb单晶片粘贴到绝缘基片上后再减薄至5-10微米而制成的。薄膜型采用真空蒸发或真空溅射工艺制备，以真空蒸发为主。 强磁性薄膜磁敏电阻材料是指一类具有磁各向异性效应的磁敏材料。这类材料在磁化方向平行于电流方向时，阻值最大，在磁化方向垂直于电流方向时，阻值最小。因此，改变磁化方向与电流方向的夹角，即可改变强磁性薄膜磁敏电阻材料的阻值。强磁性薄膜磁敏电阻材料主要是Ni-Co合金薄膜和Ni-Fe合金薄膜。 (1)霍尔元件 霍尔元件是基于霍尔效应制成的一种磁敏传感器。霍尔效应的原理如图所示，当电流通过放在磁场中的半导体基片(霍尔元件)且电流方向和磁场方向垂直时，在垂直于电流和磁通的半导体基片的横向侧面上产生一个电压，这个电压称为霍尔电压UH。霍尔电压UH的高低与通过的电流I和磁感应强度B成正比，可用下式表示：UH＝RHIB／d 式中： RH—霍尔系数 d——基片厚度 I——电流 B——磁场强度 当通过的电流I为一定值时，霍尔电压UH与磁场强度B成正比，即霍尔电压的大小仅与磁场强度的大小有关。 霍尔元件常用的材料主要有GaAs(砷化镓)和InSb（锑化铟），除此之外，还有Ge（锗）和InAs（砷化铟）。 霍尔磁敏传感器的应用非常广泛，日常生活中的许多家电产品都少不了磁头。盒式录音机的换向机构要用霍尔磁敏传