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第九章 半导体存储器 CPU主频=外频×倍频 前沿总线FSB（Front Side Bus）是从CPU到芯片组之间的总线，该总线的工作频率称为前沿总线频率。 CPU的外频就是主板提供的前沿总线频率。 如PⅢ 800 MHz的设置为外频133 MHz，倍频为6×。 图7-19 技嘉GA–6VX7+主板各个部件的工作频率 33MHz 66/100MHz 66/100/133MHz 66MHz 66/100/133MHz 14.318MHz 33MHz 33MHz 48MHz 14.318MHz 14.318MHz 24MHz 存储矩阵M×N 输出电路 b0 b1 … b N-1 D0 D1 … D N-1 地址译码器 W0 … A0 图9.1.1 ROM的结构框图 W1 WM-1 … A1 AK 1 1 D3 D2 D1 1 D0 驱动器 输出电路 存储矩阵 地址译码器 b3 b2 b1 b0 字线 W0 W1 W2 W3 1 1 1 位线 VCC A1 A0 图 9.1.2 4×4 位二极管ROM 表9.1.1 图9.1.2的地址输入与输出状态对应关系 1 0 1 1 W3 1 1 1 0 1 0 W2 0 1 0 1 1 1 W1 1 0 0 1 0 1 W0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 ROM输出 选中字线 地址输入 9 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 1 8 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 7 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 6 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 0 5 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0 4 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 0 3 0 1 1 0 0 0 0 1 1 0 0 2 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 显示 g f e d c b a Q0 Q1 Q2 Q3 表 9.1.2 8421BCD码7段显示译码器电路的真值表 （[ ]） 与 阵列 译码器 a b c d e f g （Q0） （Q1） （Q2） （Q3） A0 A1 A2 A3 m0 m15 图9.1.10 例9.1.2 ROM阵列 字线Wi Vcc 位线Yi 熔丝 图9.1.4 PROM存储单元 双极型晶体三极管 存储单元用叠栅注入MOS管构成（SIMOS） 写入：利用雪崩击穿；擦除：利用紫外线。 字线Wi 位线Yi D S G 图9.1.5 UVEPROM存储单元 MOS型晶体三极管 选择栅 浮置栅 典型产品如：intel 2716 (2K?8)、intel 2732 (4K?8) 。 存储单元由一只普通的N沟道增强型MOS管，和一只Flotox管组成。 写入、擦除：利用隧道效应。 字线Wi 位线Yi T2 T1 G 图9.1.6 E2PROM存储单元 MOS型晶体三极管 控制栅 浮置栅 典型产品如：intel 2864 (8K?8) 。 * 第9章 半导体存储器 一、半导体存储器概念 2.存取速度 三、分类 二、重要指标 1.存储量 1.按存取方式分类 9.1 只读存储器（ROM） 2.按使用器件类型来分 一. ROM的分类 1.按存储内容写入方式来分 四、ROM的逻辑关系 二.ROM的结构 三.ROM的工作原理 1.属于组合逻辑电路 2.阵列图 五、ROM的应用 六、固定ROM(MROM) 1.实现组合逻辑函数 2.字符发生器 (1) UVEPROM 七、可编辑只读存储器(PROM) 八、可改写可编程只读存储器(EPROM) (2) E2PROM (3) Flash Memory 9.2 随机存储器(RAM) 1.位扩展 一、静态RAM(SRAM) 二、存储容量的扩展 2.字扩展 三、动态RAM(DRAM) 作业 第9章 半导体存储器 一、半导体存储器概念： 2.存取速度 二、重要指标 1.存储量：字数 N × 位数 M 如1K容量通常指 1024 × 8 bit 高速RAM的存取时间10ns、8 ns、7 ns、6 ns 串行存储器(SAM): Sequential Access Memory 只读存储器(ROM): Read Only Memory 随机存储器(RAM): Random Access Memory 三、分类 9.1 只读存储器（ROM） 一. ROM的分类： 1.按存储内容写入方式来分： 固定ROM(MROM) 可擦可编程ROM(EPROM) 可编程ROM(PROM）