奈米加工技术探讨.DOC

奈米加工技術探討 陳行諭 本篇是描述微加工技術應用於100nm以下奈米光刻時代，由於光學的蝕刻輪廓技術被限制在sub-100nm無法應用在更精細圖案上，因此幾種新技術預期取代現有光學的蝕刻輪廓技術；如電子束光刻、X光-射線技術，既將成為大量生產使用工具。預計西元2005-2010可廣泛被使用。掃瞄探針顯微技術(SPM)是最有可能用於大量生產使用圖案輪廓掃瞄工具之一，雖然SPM受限於它的寫入速度，它仍然足夠應付大量生產。 微機械隧道掃瞄探測顯微鏡技術(μ-STM)，也有可能廣泛被使用，一些報告顯示μ-STM應用於精密技術金屬-氧化半導體場效用相容技術(CMOS FET)。μ-STM是應用真空隧道效用原理其使用二種不同導體，一種高傳輸電子顯微鏡技術(TEM)可能應用於光刻系統；另一種是利用單原子特性解決光刻系統所產生問題。 一、簡介 今天有高進步的資訊加工儀器要歸功於超大型積體電路(ULSI)改革技術，例如；個人電腦讀寫裝置、計算能力、網際網路傳遞資訊，都依賴ULSI高執行能力。ULSI技術改革始於1970年，並且以每三年成長四倍。當一些裝備、技術、材料、物理性質等技術突破，預期持續成長至下一世紀。雖然有一些悲觀主義與樂觀主義爭論，無論如何，持續成長驅勢是不變的。 由於光學的蝕刻輪廓技術限制在sub-100nm，幾種技術將來會取代它，電子束光刻或X光-射線技術可以實現加工100nm以下，且讀取速度足以應付大量生產。其他一些光刻技術也準備在2005-2101年應用於大量生產，SPM是最有可能被先使用，雖然它的寫入速度有些限制仍然會被應用大量生產的工具上。在實際技術應用上SPM系統曾被提出與數百個μ-STM同時並聯使用，以解決在100nm時代技術障礙。 二、解決LSI技術與限制 （一）LSI規模等級 LSI的改革技術是儘可能縮小尺寸，尺寸大小決定於K因子，在相同厚度與薄層欲製作出更小尺寸，必須增加添加物濃度及保持不變電場強度，這種方法稱等級規模(scaling principle)。這種方法技術應用於MOS LSI 已1/4世紀，ULSI的尺寸由每3年以0.7倍縮小，而設備整合以每3年4倍成長。1 Gbit 動態隨機記憶體(DRAM)在1995年製造出，大量生產預期西元2001年尺寸控制在0.18μm；未來可能朝向0.13μm。 （二）視覺光刻限制 技術上的限制，例如，裝備、材料、物理特性等等，是預期可想而知。對視覺光刻一些嚴重技術問題有待克服，因為沒有設備就沒有辦法製造。視覺光刻花了30年才整合能在大量生產應用，因此對ULSI技術發展需求如下： 1.精緻圖案組成能力。 2.正確排列成形決定總晶片尺寸。 3.聚焦的深厚(DF)能力。 4.讀取速度的設備需求符合成本。 5.生產設備成本。 大量生產需要低成本光刻工具，設計視覺光刻技術成本決定於最小尺寸(MD)與聚焦的深厚(DF)二個因數。 MD = k1* λ/NA……………………….(1) DF = k2 *λ/NA……………………….(2) 式中λ為光的波長；NA為孔徑大小；k為製程因子，一般使用0.6─0.7。 MD與 NA、 DF三者相對關係，依據公式(1).(2)通常技術上λ使用365nm(i-line)或284nm(krF)，NA=0.6，K使用0.6-0.7可以解決0.35─0.25μm圖案。無論如何使用視覺光刻方法解決Sub-100nm圖案，將是極度困難，甚至於使用193nm(ArF)仍然無法解決。因此新的光刻技術發展是極需要。 （三）可能取代視覺光刻的技術 X光-射線光刻技術在1972年發明，並且使用一段時間，電子束也曾經被使用在光刻，但是受限於讀寫速度，近期發展出的讀寫速度設備已經可以解決讀寫速度問題，它使用多行並聯讀寫以增加速度。曝光速度與最小合理尺寸的一些不同光刻技術系統，X光-射線光刻實際曝光速度以每秒1平方公分進行曝光。 三、SPM光刻技術 （一）曝光原理 SPM光刻能夠氧化金屬/矽層的柰米規模圖案，曝光原理是從SPM尖端處釋放出電子能量到達曝光層，以氧化、溶解原理腐蝕出表面輪廓。曝光結構示意，製作輪廓寬度是依據幾個變數決定，例如：電子曝光量、曝光加速電壓與尖端結構有關。 （二）可能性與問題 SPM是最方便以氧化、溶解金屬/金屬層腐蝕出表面輪廓圖案，顯示50nm線條與空間圖案是氧化矽組成輪廓；圖案也可以有機體物質組成，在元素分析光刻技術方面SPM使用原子比例結構(atomic –scale) 輪廓圖案，第一個案例是原子線形成由氫與矽所組成。原子金屬線成功吸引住Ga原子而附著在氫結構上的矽層原子鍵線上排列著。圖形中很清晰看出小於1nm寬度原子線可以用SPM在矽層上製成，“原子電子的” (atom electronics) 結構技術可能伸展出使用在SPM光刻技