硅及锗化学制备.pptVIP

2.锗的富集 (1)火法 加热锗矿物,挥发掉部分砷,铅,锑,镉等物质,残留下锗的氧化物,叫锗富矿(锗精矿) (2)水法 ZnS →ZnSO4 ↓ →残液 → 锗→锗精矿 1-3-2 高纯锗的制取 原料 锗矿、煤烟灰、晶体管厂回收的锗粉屑、锗单晶的头尾、碎片等 步骤 粗制四氯化锗的生成 粗制四氯化锗的提纯 由高纯四氯化锗得到高纯二氧化锗 由高纯二氧化锗得到高纯锗 1.粗制GeCL4的生成 GeO2+4HCL= GeCL4 +2H2O 同时杂质砷生成AsCL3, 如何除去? 若在上面这个反应中加入MnO2, MnO2+4HCL=MnCL2+2H2O+CL2 生产的氯气继续氯化三价砷,使其成为砷酸 AsCL3+CL2+4H2O=H3AsO4+5HCL 将AsCL3变成难挥发的砷酸,留在蒸馏釜中 2. GeCL4的提纯 在上述制备的GeCL4中还有一些As,Si,Fe,AI等的氯化物,其中AsCL3最难除掉. 提纯方法: 萃取法,精馏法 利用AsCL3 ,GeCL4在盐酸中的溶解度不同来分离 3. GeCL4的水解 由高纯四氯化锗得到高纯二氧化锗 GeCL4+4H2O=Ge(OH)4+4HCL Ge(OH)4= GeO2+2H2O 总方程式: GeCL4+4H2O= GeO2. 2H2O+4HCL 4. GeO2氢还原 由高纯二氧化锗得到高纯锗 GeO2+2H2= Ge+2H2O 作业 比较三氯氢硅氢还原法和硅烷法制备高纯硅的优缺点? * * * 半导体材料 杨树人 王宗昌 王兢 编著 课程成绩 40%：平时成绩（作业、出勤、课上表现、笔记） 60%：期末考试 考试内容以课本，上课ppt，作业为主 参考书目: 《半导体材料》王季陶 刘明登主编 高教出版社 《半导体材料浅释》万群 化学工业出版社 《半导体材料》邓志杰 郑安生 化学工业出版社 绪论 根据物质的导电性,物质可以分为哪几种? 集成电路中主要研究的是哪种?原因是什么? 一 半导体的主要特征 ⒈ 电阻率ρ: 10-3---109Ω.cm 导体＜10-3 Ω.cm 绝缘体＞109 Ω.cm 2.负温度系数 T升高,电阻率减小,导电能力增强 导体怎样? T升高,电阻率增大,导电能力减弱 3.具有高热电势 4.整流效应 5.光敏特性 6.掺杂可以提高导电能力 二 半导体材料的发展 对于半导体材料的电现象的认识，自十八世纪以来就有了，但是真正巨大的发展却是半个世纪以来的事，两种重要力量推动了这个进程： 应用的需求(应用范围,器件需求) 制备技术和实验技术的提高(MBE,MOCVD等) 1950年，G.K.Teal、J.B.Little直拉法锗单晶 1952年，W.G.Pfann区熔提纯技术高纯锗、G.K.Teal直拉法硅单晶，P.H.Keck悬浮区熔技术，提高硅的纯度 1955年，SIMENS在硅芯发热体上用氢还原三氯化硅法制得高纯硅。 1957年，工业化生产。 1958年，W.C.DASH无位错硅单晶，为工业化大生产硅集成电路作好了准备。 六十年代初，外延生长锗、硅薄膜工艺，与硅的其它显微加工技术相结合，形成了硅平面器件工艺。 52年，H.WELKER发现三、五族化合物具有半导体性质。这类化合物电子迁移率高、禁带宽度大，能带结构是直接跃迁，呈现负阻效应。但是当年，由于这些化合物中存在挥发元素，制备困难。 多元半导体化合物制备技术的发展： 晶体生长方面，五十年代末，水平布里奇曼法、温度梯度法、磁耦合提拉法生长GaAs、InP单晶。65年,J.B.MULLIN，氧化硼液封直拉法，在压力室中制取GaAs单晶，为工业化生长三、五族化合物单晶打下了基础。 薄膜制备技术方面：63年，H.NELSON，LPE方法生长GaAs外延层，半导体激光器。其后，VPE生长三、五化合物，外延生长技术应用到器件制作中去。 根据材料的重要性和开发成功的先后顺序,半导体材料可以分为三代 第一代半导体材料----硅(Si) 作为第一代半导体材料,硅基半导体材料及其集成电路的发展导致了微型计算机的出现和整个计算机产业的飞跃. 半导体中的大部分器件都是以硅为基础的 第二代半导体材料---砷化镓(GaAs) 硅基半导体材料虽然在微电子领域得到广泛应用,但硅材料本身间接能带结构的特点限制了其在光电子领域的应用。 GaAs相比硅和锗,有很多优异特性,??如电子迁移率高,禁带宽度大,直接跃迁型能带结构,负阻效应. 随着以光通信为基础的信息高速公路的崛起和社会信息化的发展,第二代半导体材料崭露头角,砷化镓和磷化铟(In