场效应管及其放大合理使用电路.pptVIP

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2019-05-26 发布于广东
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场效应管及其放大合理使用电路.ppt

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项目三场效应管及其放大电路一、缘栅型场效应管（MOS管）的结构与工作原理二、主要参数及使用时的注意事项三、场效管基本放大电路一、缘栅型场效应管（MOS管）的结构与工作原理 N沟道增强型绝缘栅场效应管 N沟道增强型绝缘栅场效应管导电沟道的形成 N沟道增强型绝缘栅场效应管导电沟道的导通 N MOS管的特性曲线 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 N沟道增强型绝缘栅场效应管 N沟道增强型绝缘栅场效应管导电沟道的形成 N沟道增强型绝缘栅场效应管导电沟道的导通 N MOS管的特性曲线 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管二、主要参数及使用时的注意事项在使用时除了不能超过极限参数处，还要特别注意管子栅极开路时可能出现栅极感应电压过高而造成绝缘层击穿问题。为了避免这种损坏，在保存时必须将三个电极短接；在使用时需在栅极加保护电路；在焊接时，烙铁要有良好接地，最好用电烙铁余热焊接。 MOS管通常漏极与源极互换使用，但有些产品源极与衬底已连在一起，这时漏极与源极不能对调。三、场效管基本放大电路 1．共源放大器 2．场效应管微变等效电路自偏压电路分压式自偏压电路 FET的简化小信号模型共源极放大电路 * * S G D P型硅衬底 N＋ N＋ a D G S b 图3.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管 a 管子结构 b 符号 D G S S G D P型硅衬底 N＋ N＋ a b S G D P型硅衬底 N＋ N＋ N沟道图3.2 N沟道增强型绝缘栅场效应管导电沟道的形成耗尽层 EC S G D P型硅衬底 N＋ N＋ N沟道 EC ED ID ID/mA UGS/V 0 UDS=常数 VT 图3.3 N MOS管的特性曲线 a 转移特性曲线 b 漏极特性曲线无沟道有沟道 a b UDS/V ID/mA 4V 3V 0 UGS=1V 2V S G D ID ＋＋＋＋＋ B P N沟道 N＋ N＋ ED a b UDS/V ID/mA 2 1 3 －1 －2 12 0 2 4 6 8 10 12 8 2 6 4 10 14 UGS=0 ID/mA UGS/V c 0 2 4 6 8 10 1 3 2 4 UDS=10V IDSS －3 －2 －1 VP 图3.4 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构及特性曲线 D G S ＋－图3.5 自偏压电路 C1 ＋ RD RG ID UGS ＋VDD C2 VT CS RS D G S 图3.6 分压式自偏压电路 C1 ＋ RD RG2 ID ＋VDD C2 VT CS RS RG1 RG3 G D S ＋－图3.7 FET的简化小信号模型＋－图3.8 共源极放大电路＋－ RL RG3 RD ＋－ RG1 RG2 *