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太阳能电池(晶硅)简介;1、晶硅太阳能电池及其原理;
2、常规晶硅太阳能电池工艺;
3、新型晶硅太阳能电池工艺;
;1、晶硅太阳能电池及其原理;2、常规晶硅太阳能电池工艺;2.1、制绒;单晶制绒;单晶制绒;多晶制绒;多晶制绒;2.2、扩散;PN结曲线;扩散;扩散; 刻蚀原理:
由于在扩散过程中,即使采用硅片的背对背扩散,硅片的所有表面(包括正反面和边缘)都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面,而造成短路,因此需要将该短路通道去除。
刻蚀方法:
干法刻蚀:等离子刻蚀、激光刻蚀;
湿法刻蚀:RENA刻蚀、Schmid刻蚀。;湿法刻蚀;湿法刻蚀; 镀膜目的:
表面平整的硅片在很宽的波长范围(400~1050nm)内对入射光的反射均高于30%。该反射可以通过表面绒面来降低。为了进一步降低反射???需要在硅片表面制备一层或多层介质膜。同时介质膜也可以起到钝化和防止酸碱对硅片表面侵蚀。;制备SiN薄膜设备的分类;管式镀膜;板式镀膜;两种镀膜方式对比;PECVD镀膜;2.5、丝网印刷;栅线结构;铝背场;正面银栅线;丝网印刷;2.6、烧结;2.7、测试分档;3、新型晶硅太阳能电池工艺
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