半导体行业常用气体介绍.doc

半导体常见气体的用途 1、硅烷（SiH4）：有毒。硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。, F X+ B2 Y# _$ V2、锗烷（GeH4）：剧毒。金属锗是一种良好的半导体材料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。$ k6 B/ ?6 ` b3、磷烷（PH3）：剧毒。主要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源。同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延GaP材料、离子注入工艺、化合物半导体的MOCVD工艺、磷硅玻璃（PSG）钝化膜制备等工艺中。2 L/ F) Q% |) `1 o5 k4、砷烷（AsH3）：剧毒。主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。9 ?, D- B P3 S9 s5、氢化锑（SbH3）：剧毒。用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。6、乙硼烷（B2H6）：窒息臭味的剧毒气体。硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。7、三氟化硼（BF3）：有毒，极强刺激性。主要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。8、三氟化氮（NF3）：毒性较强。主要用于化学气相淀积（CVD）装置的清洗。三氟化氮可以单独或与其它气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体，例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蚀刻；NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蚀刻，也用于NbSi2的蚀刻。9、三氟化磷（PF3）：毒性极强。作为气态磷离子注入源。3 `; |8 K, h* r: C, B10、四氟化硅（SiF4）：遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。主要用于氮化硅（Si3N4）和硅化钽（TaSi2）的等离子蚀刻、发光二极管P型掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。11、五氟化磷（PF5）：在潮湿的空气中产生有毒的氟化氢烟雾。用作气态磷离子注入源。% D! Q. A$ P??L$ V o12、四氟化碳（CF4）：作为等离子蚀刻工艺中常用的工作气体，是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀刻剂。13、六氟乙烷（C2H6）：在等离子工艺中作为二氧化硅和磷硅玻璃的干蚀气体。14、全氟丙烷（C3F8）：在等离子蚀刻工艺中，作为二氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蚀刻气体。 半导体工业常用的混合气体0 z/ Z??A X2 @- J1、外延（生长）混合气：在半导体工业中，在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法，生长一层或多层材料所用的气体叫作外延气体。常用的硅外延气体有二氯二氢硅（）、四氯化硅（）和硅烷等。主要用于外延硅淀积、氧化硅膜淀积、氮化硅膜淀积，太阳能电池和其它光感受器的非晶硅膜淀积等。外延是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。常用外延混合气组成如下表：  序号 组份气体 稀释气体 123. W D u: ]+ A# D( {8 L4 |4% D5 z h( e) q 硅烷（SiH4）氯硅烷（SiCl4）二氯二氢硅（SiH2Cl2）( b+ C Y# T, H2 W1 D0 C3 H乙硅烷（Si2H6） 氦、氩、氢、氮氦、氩、氢、氮5 X- t) ?% c H氦、氩、氢、氮 {( k6 u7 g* o/ a氦、氩、氢、氮 1 P4 y# C/ l: G9 Z8 f2、化学气相淀积（CVD）用混合气：CVD是利用挥发性化合物，通过气相化学反应淀积某种单质和化合物的一种方法，即应用气相化学反应的一种成膜方法。依据成膜种类，使用的化学气相淀积（CVD）气体也不同，以下表是几类化学气相淀积混合气的组成：; O X2 m) W; }# o4 t( S: m 膜的种类 混合气组成8 T! r. M1 \! o! ]4 W! }; g: ~$ x/ t 生成方法3 W0 C! y2 f/ O, X* t c0 t 半导体膜+ m s, H1 ~) X) b4 `, d, j5 ]) e. ~( f: m. l! F* `/ H 8 X: k; H# F H; ?, e8 z绝缘膜 C9 Z* N/ }( m6 o/ X K+ b1 Y, e  导体膜2 w5 }, P. w# _/ h- { D c1 l% V! |5 F8 y. P7 Z 硅烷（SiH4）+氢/ s: v% u# d f$ Q二氯二氢硅（SiH2Cl2）+氢7 ]4 ?0 t3 v p b7 A: `氯硅烷（SiCl4）+氢硅烷（SiH4）+甲烷（CH4）硅烷（SiH4）+氧 U6 H: