集成合理使用电路基础知识.pptVIP

第一节 集成电路的发展 一、概念 微电子学：主要是研究电子或离子在固体材料中的运动规律及应用，并利用它实现信号处理功能的科学，其目的是实现电路和系统的集成。 集成电路：（IC）是指通过一系列特定的加工工艺，将多个晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容器等无源器件，按照一定的电路连接集成在一块半导体单晶片或者说陶瓷等基片上，作为一个不可分割的整体执行某一特定功能的电路组件 。 二、集成电路的优点及主要性能 优点：体积小、能耗低、价廉、性能好。 集成度：每块集成电路芯片中包含的元器件数目 优值（功耗延迟积）：是指电路的延迟时间与功 耗相乘。 特征尺寸：通常是指集成电路中半导体器件的最 小尺度。 第二节 集成电路的分类 一、按结构分： 1、单片集成电路： 双极型： NPN PNP 速度快、驱动能力、 功耗大、 成度低 MOS型：PMOS、NMOS、CMOS能耗低、 输入阻抗、高抗干扰强、集成度高 BiMOS型：兼有二者优点，但工艺复杂 2、混合集成电路： 厚膜集成电路、 薄膜集成电路。 二、按功能分： 1、数字集成电路 组合逻辑、时序逻辑 2、模拟集成电路： 线性集成电路、非线性集成电路 3、数模集成电路：如D/A A/D 三、按集成度分： 数字 模拟 MOS型 双极型 小规模（SSI） 102 100 30 中规模（MSI） 102~103 100~500 30~100 大规模（LSI） 103~105 500~2000 100~30 超大规模（VLSI）105～107 2000 300 特大规模（ULSI）107~109 巨大规模（GSI） 109 四、按应用领域分 民用、工业投资源、军用、航空/航天 五、应用性质分： 通用IC、 专用IC（ASIC） 第三节 集成电路制造工艺概述 意义： 1、了解集成电路制造的基本过程的常识 2、为了得到最佳集成电路设计所需要的灵活性，有必要在工艺和制造技术方面有很好的了解，以便借助于工艺技术方面的知识，在电路设计过程中可以考虑实际的版图布局等问题； 3、工艺参数的知识使设计者在设计过程中能够进行成品率的计算，在成品率、性能以及简化设计之间实现平衡折衷。 第四节 集成电路的生产过程 一、集成电路制造过程 1、示意图： 二、平面工艺技术框图 图2-2 平面工艺基本框图 二、典型双极工艺制造过程 （以PN结隔离技术） 1. 双极NPN晶体管的截面图 集电区N+ 发射区N+ 基区P 隔离 埋层N+ PSi 衬底 图2-3双极NPN(PN结隔离)晶体管的截面图 2．工艺流程 (1)制作埋层（图2.4a） （2）生长外延层（图2.4B） （3）形成隔离岛（图2.4C） （4）形成基区（图2.4D） (5)形成发射区，集电区(图2.4E) （6）金属化(图2.4F ) 三、小结： 双极性工艺过程，芯片制造主要包括三类技术： 1、图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等 技术。 2、薄膜制造技术：主要包括外延、氧化、 化学汽相淀积，物理汽相淀积 （如溅射，蒸发）等。 3、掺杂技术：主要包括扩散和离子注入技 术。 第五节 集成电路制造工艺的关键技术 一、图形转换技术： 将掩膜板上设计好的图形转移到硅片上的技 术，包括光刻与刻蚀技术。 1、光刻： 概念：是指通过类似于洗印照片的原理，通过曝光和选择腐蚀等工序，将掩膜版上设计好的图形转移到硅片表面涂敷的感光胶上的过程。 光刻包括：光刻胶、掩膜板、光刻机三要素 光刻技术决定着集成电路特征尺寸