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* 第5章 放大电路的频率响应 重点: 1.频率响应的基本概念、波特图。 2.晶体管(场效应管)的高频等效模型 (混合?模型)。 3.单管放大电路的频率响应。 4.多级放大电路的频率响应。 5.1 5.1.1 研究放大电路频率响应的必要性 由于放大电路中存在电抗性元件及晶体管极间电容,所以电路的放大倍数为频率的函数,这种关系称为频率响应或频率特性。 小信号等效模型只适用于低频信号的分析。本章将引入高频等效模型,并阐明放大电路的上限频率、下限频率和通频带的求解方法,以及频率响应的描述方法。 频率响应概述 一、 高通电路 + _ + _ C R RC 高通电路 令: 5.1.2 频率响应的基本概念 fL称为下限截止频率 则有: 放大电路的对数频率特性称为波特图。 对数幅频特性: 实际幅频特性曲线: 幅频特性 当 f ≥ fL(高频), 当 f fL (低频), 高通特性: 且频率愈低, 的值愈小,低频信号不能通过。 f 最大误差为 3 dB,发生在 f = fL处。 0.1 fL fL 10 fL 0 -20 -40 3dB 20dB/十倍频 对数相频特性 相频特性 5.71o -45o/十倍频 fL 0.1 fL 10 fL 45o 90o ?? 0 f 误差 在低频段,高通电路产生 0 ~ 90°的超前相移。 5.71o 二、 RC 低通电路的波特图 RC 低通电路图 + _ + _ C R 令 : 则: fH 称为上限截止频率 低通电路的波特图 对数幅频特性: 0.1 fH fH 10 fH f 0 -20 -40 3dB -20dB/十倍频 对数相频特性: fH 10 fH -45o 5.71o 5.71o -45o/十倍频 -90o 0.1 fH ?? 0 f 在高频段,低通电路产生0~ 90°的滞后相移。 小结 (1)电路的截止频率决定于电容所在回路的时间 常数τ,即决定了fL和fH 。 (2)当信号频率等于fL或fH放大电路的增益下降 3dB,且产生+450或-450相移。 (3)近似分析中,可以用折线化的近似波特图 表示放大电路的频率特性。 5.2.1 晶体管的混合 ?模 型 一、完整的混合 ? 模型 5.2 (b)混合? 模型 (a)晶体管的结构示意图 晶体管的高频等效模型 单向化 视为∞ 二、简化的混合π模型 三、混合 ? 模型的主要参数 将混合 ? 模型和简化的h参数等效模型相比较,它们的电阻参数完全相同。 Cμ可从手册中查得Cob , Cob与Cμ近似相等。 Cπ数据可从手册中给定的特征频率fT和放大电路的Q点求解。 5.4 5.4.1 单管共射放大电路的频率响应 C1 Rb +VCC C2 Rc ? + + + Rs + ~ ? + ? 单管共射放大电路 中频段:各种电抗影响忽略,Au 与 f 无关; 低频段: 隔直电容压降增大,Au 降低。与电路中电阻构成 RC 高通电路; 高频段:三极管极间电容并联在电路中,Au 降低。而且,构成 RC 低通电路。 单管放大电路的频率响应 一、中频电压放大倍数 耦合电容 可认为交流短路,极间电容可视为交流断路。 1. 中频段等效电路 中频段等效电路 由图可得 b c e + Rb ~ + + + Rc Rs - ~ + + - - 2. 中频电压放大倍数 已知 ,则 结论:中频电压放大倍数的表达式,与利用简化h 参数等效电路的分析结果一致。 二、低频电压放大倍数 考虑隔直电容的作用,其等效电路: C1 与输入电阻构成一个 RC 高通电路 式中 Ri = Rb // rbe b c e + Rb ~ + + + Rc Rs - C1 输出电压 低频电压放大倍数 b c e + Rb ~ + + + Rc Rs - C1 低频时间常数为: 下限(-3 dB)频率为: 则 对数幅频特性 对数相频特性 因电抗元件引起的相移为附加相移。 低频段最大附加相移为+90度 三、高频电压放大倍数 考虑并联在极间电容的影响,其等效电路: 高频等效电路 b c e + Rb ~ ? + + + Rc Rs 高频等效电路的简化(a) 由于输出回路时间常数远小于输入回路时间常数,故可忽略输出回路的结电容。 用戴维南定理将上图简化。 c e + ~ ? + + Rc — C 与 R ? 构成 RC 低通电路。 ? 高频时间常数: 上限(-3 dB)频率为: 四、波特图 对频率从0到∞的电压放大倍数表达式为 的对数幅频特性和相频特
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