半导体中的光吸收和光探测器.pptxVIP

半导体中的光吸收和光探测器 ;1 半导体中的光吸收理论 2 半导体中的本征吸收和其他光吸收 3 半导体光电探测器的材料和性能参数 4 半导体光电探测器;半导体中的光吸收和光探测;(1) 光吸收系数： 半导体吸收光的机理主要有带间跃迁吸收（本征吸收）、载流子吸收、晶格振动吸收等。吸收光的强弱常常采用描述光在半导体中衰减快慢的参量——吸收系数α来表示；若入射光强为I，光进入半导体中的距离为x，则定义： ???????????????????????? ? 吸收系数的单位是cm-1。;(2) 带间光吸收谱曲线的特点： 对于Si和GaAs的带间跃迁的光吸收，测得其吸收系数a与光子能量hv的关系如图1所示。这种带间光吸收谱曲线的特点是： ① 吸收系数随光子能量而上升； ② 各种半导体都存在一个吸收光子能量的下限（或者光吸收长波限——截止波长），并且该能量下限随着温度的升高而减小（即截止波长增长）； ③ GaAs的光吸收谱曲线比Si的陡峭。; 为什么半导体的带间光吸收谱曲线具有以上一些特点呢？ ——与半导体的能带结构有关。; 在价带和导带中的能态密度分布较复杂, 在自由电子、球形等能面近似下，能态密度与能量是亚抛物线关系，在价带顶和导带底附近的能态密度一般都很小，因此，发生在价带顶和导带底附近之间跃迁的吸收系数也就都很小；随着