20XX年N阱CMOS工艺课件.pptVIP

N阱CMOS工艺;① 初始材料 ;② 外延生长 ;③ N阱扩散 ;③ N阱注入;曝 光;氧化层的刻蚀;N阱注入;形成N阱;④ 场区LOCOS （局部氧化）;氮化硅的刻蚀;沟道终止注入;场氧的生长;去除氮化硅;⑤ 阈值调整;采用一步调节方法;重新生长二氧化硅（栅氧）;⑥ 多晶硅淀积和光刻 ;刻蚀多晶硅;⑦ 源/漏注入 ;P+离子注入;N+离子注入;⑧ 接触、金属化及保护层 ;生长磷硅玻璃PSG;光刻接触孔;刻 铝;刻铝;光刻8，刻压焊孔掩膜版;;;NMOS Transistors;PMOS晶体管 ;衬底PNP管 ;多晶电阻;NSD和PSD电阻 ;电 容;的基本撒即可都不恐怖方式;OK的十分肯定会说不够开放的时间快发红包国剧盛典冠军飞将;房间号房管局的设备房间都是不放假肯德基封号开始交电话费的看法;的发送给对方是个梵蒂冈贵航股份很反感发给很反感很反感好;第三个梵蒂冈梵蒂冈梵蒂冈梵蒂冈所发生的发送到各回各家华工科