磁控溅射镀膜技术1精编版.ppt

设备安装、调试及维护比射频溅射容易运行稳定 膜层质量(緻密程度)不比射频的差 用扫描电镜做了某样品表面形貌的初步观察，RF和MF的表面都很平整，没有龟裂、针孔等缺陷。二者在放大50，000倍的条件下得到的表面情况存在明显区别。RF有20nm左右的密密麻麻的小圆丘，而MF显得很平 2、双靶---孪生靶 双靶的“双”字，如前所述原文是：twin或dual都有孪生的意思，而不是简单的two 构成双靶的两个靶一定要严格一致：结构、材料、形状、尺寸，加工与安装精度； 运用中两个靶处于同一环境，压力及气体组分、抽气速率等 3反应溅射与反应溅射滞回曲线 大部分化合物薄膜特别是介质膜均由金属靶通反应气体，用反应溅射方法制备 在靶电源为恒功率模式下，随反应气体（如氧）流量变化（增加或减小），靶电压变化呈非线性，类似磁滞回曲线 4、硅靶通氧反应溅射制备二氧化硅：靶电压随氧气流量变化曲线有滞回现象（反应溅射的固有特性） 5、三种状态（金属态--过度态--氧化态）的特点及溅射速率变化 6、按不同采样方法控制方式可分为: 质谱法 检测反应气体的分压强来控制反应气体流量。 等离子体发射检测法(PEM: Plasma Emission Monitor），根据某种元素（通常是金属离子）特征光谱的强弱变化来对反应气体进行控制。 利用靶中毒时的外部特征（如靶电位、靶电流）来控制反应气体流量。 7、控制系统的稳定性 8、PEM闭环控制回路示意图 真空室内靶、布气、抽气、基片位置之一 真空室内靶、布气、抽气、基片位置之一 六、射频磁控溅射 1966年IBM采用射频溅射镀制SiO2膜 采用13.6MHz高频功率电源，注意接地与匹配调节。 靶材可以是导电的金属靶，也可以是绝缘的陶瓷靶，但由于射频电磁辐射对人体有害，工业应用仅限于采用绝缘靶材 射频电磁辐射的屏蔽及靶的设计及安装应特别强调。 请批评指正，谢谢！ 结束语 退激发过程的能态跃迁释放能量---发光 光强度正比于激发态密度n*和相应的mn跃迁机率P 特征光谱 荷能粒子与材料表面相互作用 1、产生的效应 表面粒子发射：电子、中性原子与分子、正离子和负离子、气体分子解吸、气体分解发射、射线（光）、入射粒子的背散射、 入射粒子（离子）在固体表面或内部与材料原子（分子）的级联碰撞、注入、扩散、化合 材料晶体的非晶化、结构损伤（产生缺陷）、置换 热、电效应 2、溅射效应 正离子轰击靶材表面引起的各类发射称溅射，材料的溅射产额y系指一个正离子入射到表面从表面溅射出的原子数。 （1）材料的溅射产额y与轰击靶材表面的正离子种类、能量、入射角有关。入射离子能量从零增加到某值时，才发生溅射现象，该值称为阈能。溅射气体通常选氩气。 （2）溅射产额y与材料种类、表面状态、温度有关。 三、磁控溅射 1、 在二极溅射装置上加一与电场E的正交磁场B 2、在正交电磁场作用下电子围绕磁力线作曲线运动加大了运动路径,大大提高电子对气体的电离几率 e- x B B e- E B ExB S N N S e- Rotatable cylindrical magnetron (BOC, 1994). Web coatings and glass coating. Target materials sometimes difficult to find in cylindrical shape. 2、特点 等离子体密度比二极溅射提高一个数量级,达到10-3，靶电流密度提高一个数量级 靶材刻蚀速率，镀膜速率与靶电流密度成正比，即磁控溅射镀膜速率比二极溅射提高一个数量。 加进磁场使放电容易，靶电压降低，膜层质量提高 靶材经离子刻蚀形成溅射沟道，此沟道一旦穿通，靶材即报废，靶材利用率低 对于矩形靶，溅射沟道似运动场上的“跑道”。 四、非平衡磁控溅射 普通的磁控溅射阴极的磁场集中于靶面附近的有限的区域内，基片表面没有磁场，称平衡磁控溅射阴极 1985年Window提出增大普通的磁控溅射阴极的杂散磁场，从而使等离子体范围扩展到基片表面附近的非平衡磁控溅射阴极 如果通过阴极的内外两个磁极端面的磁通量不等，则为非平衡磁控溅射阴极，非平衡磁控溅射阴极磁场大量向靶外发散 普通的磁控溅射阴极的磁场将等离子体约束在靶面附近，基片表面附近的等离子体很弱，只受轻微的离子和电子轰击。 非平衡磁控溅射阴极磁场可将等离子体扩展到远离靶面的基片，使基片浸没其中，因此又称“闭合磁场非平衡溅射”（Closed-field Unbalanced Magnetron Sputtering,CFUBMS),可以以高速率沉积出多种材料的、附着力强