二极管反向电流不随反向偏压而变化.ppt

1 第一章 半导体材料及二极管 1.3 晶体二极管及其应用 二极管的核心是一个PN结。 1.3.1 晶体二极管的伏安特性 二极管的伏安特性是指流过二极管中的电流 与其端电压 之间的关系。 二极管的正偏伏安特性方程: 二极管的反偏伏安特性方程: 当加在二极管上的反偏电压超过某一数值VBR时，反偏电流将急剧增大，这种现象称为二极管的反向击穿 导致二极管出现反向击穿的原因有下面两种： 雪崩击穿 齐纳击穿 5. Si二极管与Ge二极管的差别 1.3.2 二极管的直流电阻和交流电阻 1.直流电阻 2.交流电阻 3.二极管的其它主要参数 1.3.3 二极管模型 例1.1 硅二极管与恒压源E和限流电阻R构成的直流电路如图1.19所示，求二极管工作点。 解：将二极管用恒压源模型近似后来估算二极管工作点。 例1.2 若在例1.1电路中串联一个正弦电压源 ，图1.21（a）为其电路图，估算此时二极管上交流电压与电流成分的振幅值 和 （T＝300K）。 解：当未加正弦电压