单片机教学课件.ppt

4、低功耗工作方式：80C51这类带C标的单片机具有两种低功耗工作方式，即待机方式和掉电保护方式。它们与不带C标的单片机的差别主要是芯片制造工艺不同，带C的是采用CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺，具有低功耗、抗干扰强的特点；而它们的管脚及指令系统都相同。待机方式或掉电保护方式由PCON的IDL位或PD位来控制. 待机方式和掉电方式时所涉及的硬件如图所示。 待机方式的退出：采用中断方法退出待机方式。在待机方式下，若引入一个外中断请求信号，在单片机响应中断的同时，PCON.0位（即IDL位）被硬件自动清“0”，单片机就退出待机方式而进入正常工作方式。在中断服务程序中只需安排一条RETI指令，就可以使单片机恢复正常工作后，返回断点继续执行程序。 2. 片内程序存储器(ROM) 作用：存放程序、表格或常数，具有非易失性 字长：8位 数量：4KB （80C51） … … xxH xxH xxH xxH xxH 0000H 0001H 0002H 0003H 0004H 0FFFH 1KB=1024字节（0～03FFH） 4KB=4096字节（0～0FFFH） 8KB=8192字节（0～1FFFH） … … 4KB片内ROM 第2章MCS-51单片机结构及原理 ROM的6个特殊存储器单元——引导汇编程序跳转 0000H：复位后程序自动运行的首地址 0003H：外部中断0入口地址 000BH：定时器0溢出中断入口地址 0013H：外部中断1入口地址 001BH：定时器0溢出中断入口地址 0023H：串行口中断入口地址 程序一般应安排在0030H地址以后 … … 跳转指令 跳转指令 跳转指令 跳转指令 跳转指令 0000H 0001H 0002H 0003H 0004H 0030H 主程序首指令 第2章MCS-51单片机结构及原理 3. 片内数据存储器(RAM) 作用：存放程序运行结果 字长：8位 数量：256B（80C51） 30H 低128B（ 00H～7FH ）为普通RAM区 高128B （80H～FFH）为特殊功能寄存器区 第2章MCS-51单片机结构及原理 (1) 低128字节的区域 ①工作寄存器区（00H-1FH） ②可位寻址区（20H-2FH） ③用户RAM区（30H-7FH） ① ② ③ 30H 第2章MCS-51单片机结构及原理 ①区共有32个字节单元（分4组每组8单元，工作寄存器R0～R7） 任一时刻CPU只能选用一组工作寄存器为当前工作寄存器组 通过PSW的RS1和RS0标志位（工作寄存器组指针）进行设置 ① 30H CPU复位后RS1和 RS0默认值为0，即默认第0组为当前工作寄存器组。 第2章MCS-51单片机结构及原理 ②区共有16个字节单元（字节地址20H～2FH），又可分为128个位单元（位地址00H～ 7FH）——可以两种方式存取数据。 ② 30H 第2章MCS-51单片机结构及原理 ③区共有80个字节单元（ 30H～7FH），是用户RAM区。 ③ 30H 此区可作为堆栈区和中间数据存储区使用。 【注意】：51单片机片内RAM中，①区和③区只能按字节进行数据存取操作，②区则可按字节和位两种方式存取操作。 第2章MCS-51单片机结构及原理 （2）高128字节RAM区 在80H～FFH的高128字节RAM区中，离散地分布有21个特殊功能寄存器SFR（Spetial Function Register)，又称为特殊功能寄存器区。 30H SFR是单片机内部资源的组织、管理单元 第2章MCS-51单片机结构及原理 字节地址末位是0或8的SFR，都具有位地址。 88H 89H 8AH 8BH 8CH 8DH 8EH 8FH 内RAM可位寻址的位有： 8031/8051/8751： 128＋83(11个SFR)＝211位8032/8052/8752：128＋93(12个SFR) ＝221位 2.1 MCS-51单片机结构 2.2 MCS-51的存储器结构 2.3单片机的复位、时钟与时序 2.4 并行I/O口 第2章MCS-51单片机结构及原理 复位——使单片机恢复原始默认状态的操作。 1.复位与复位电路 除P0～P3、SP、SBUF外，其余寄存器的复位初值均为0 第2章MCS-51单片机结构及原理 复位条件 在RST/VPD引脚端出现满足复位时间（≥10ms ）要求的高电平（≥3V）状态。 复位方式 上电复位