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第一章 半导体器件 第二章 基本单元电路 第三章 多级放大电路与频率响应 第四章 集成运算放大器 第五章 功率放大电路 第六章 放大电路中的反馈 第七章 集成运算放大器的应用 第八章 信号发生电路 第九章 直流稳压电源 2 伏安特性曲线 二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA 正向特性 Uon iD = 0 Uon = 0.5~0.7 V 0.1~0.3 V (硅管) (锗管) U ? Uon 0 ? U ? Uon UDQ = (0.6 ? 0.8) V 硅管取 0.7 V (0.1 ? 0.3) V 锗管取 0.2 V 反向特性 IS U(BR) 反向击穿 (反向击穿) Uon :开启电压或死区电压 死区电压 1.正向特性 2.反向特性 U(BR) U 0 U U(BR) 工作电压 二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA Uon 反向特性 IS U(BR) 反向击穿 U(BR) ? U ? 0 iD = IS 0.1?A(硅) 几十?A(锗) U U(BR) PN 结两端外加的反向电压增加到一定值时反向电流急剧增大 (反向击穿) 死区电压 1.反向特性 三、环境温度对伏安特性曲线的影响 当温度升高时,正向特性曲线左移。 反向饱和特性曲线下移。 其变化规律为 四、二极管的主要参数 1 最大整流电流 3 最大反向工作电压 4 反向电流 5 最高工作频率 二极管长时间工作时允许通过的最大直流电流。 二极管正常使用时允许加的最高反向电压。 使用时应注意流过二极管的正向最大电流不能大于这个数值,否则可能损坏二极管。 使用中如果超过此值,二极管将有被击穿的危险。 2 反向击穿电压 五、二极管的等效分析 1 二极管的直流电阻与交流电阻 (1)直流电阻 (2)交流电阻 D—非线性器件 与Q点位置有关 过Q点切线斜率倒数 2 等效电路 (1)理想二极管 理想二极管的死区电压和正向电压降都等于零,反向电流也等于零,理想二极管在电路中相当于一个开关元件 。 (3)微变等效电路 (2)考虑正向压降 时的等效电路 二极管整流 p53 1-9 在如图所示电路中,已知 为正弦波,二极管的正向压降和反向电流均可忽略(理想二极管),定性画出输出电压 的波形。 六、特殊二极管: 稳压二极管 1 稳压原理: 2 稳压管的主要特点: 应用反向击穿特性具有稳压效应的特殊二极管。 3 在正向导通时,稳压管的正向特性与普通二极管相同,其导通电压为0.7伏。 4 稳压管的工作条件: 5 稳压管的主要参数 (1)稳定电压 (2)最小稳定电流 (3)最大稳定电流 (4)动态电阻 (5)额定功耗 1.反偏且击穿; 2. 稳压管反向击穿后,通过规定电流时相应的电压值。 稳压管稳定工作条件 举例:P24 例1-5 分析图1-33电路,当UA和UB分别为0V和3V的不同组合时,二极管V1、V2的状态,并求出此时Uo的值。设二极管均为硅管。 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 绪 论 一、课程的性质 电子技术是研究电子器件、电子电路和电子系统及其应用的科学技术。 三、什么是电子器件和电子技术 二、课程的特点 1 内容丰富,涉及面宽。 2 实践性强 3 工程近似计算 四、课程的研究对象 模拟信号 什么是信号? 信号是信息的载体。 在时间上和幅值上均具有连续性的信号。 本书主要研究对象:(四个基本) 基本概念、基本原理、基本分析方法及基本应用 五、学习中注意些什么 1 掌握基本概念 2 基本单元电路 3 基本分析方法 4 基本规律 什么是模拟信号呢? 章节划分与学时分配 6学时 12学时 4学时 2学时 4学时 8学时 10学时 4学时 6学时 第一章 半导体器件 第一节 半导体基础知识 第二节 半导体二极管 第三节 半导体三极管 第四节 场效应晶体管(FET) 本章教学主要内容 第一节 半导体基础知识 一、本征半导体 1 半导体及其特点 (1)
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