第三章 半导体三极管及放大电路基础 §3.1 双极型晶体管(BJT,bipolar junction transistor) 双极型晶体管由两个靠得很近的PN结构成。其中,带正电的空穴和带负电的电子均参与导电。 一、晶体管的结构及符号 晶体管的结构特点:发射区掺杂浓度高,基区薄且浓度低,集电结面积大,以保证晶体管具有电流放大作用。 二、晶体管的电流分配与放大作用 晶体管内载流子的传输过程 发射区向基区注入载流子 电子在基区扩散和复合 集电结收集电子 晶体管直流电流传输方程 晶体管做放大器时,三个端中一个作输入端,一个作输出端,另一个作输入和输出的公用端。根据作公用端的电极的不同,晶体管可分为三种不同的连接方式:共基集、共发射极和共集电极连接。在这三种不同连接关系下的晶体管内部直流电流关系,称为晶体管的直流电流传输方程。 1、共基极直流电流传输方程(发射极输入,集电极输出) 共基极电流放大系数 共基极直流电流传输方程 若ICICBO,则 所以 2、共发射极直流电流传输方程 基极为输入端,集电极为输出端,发射极为公共端 ∵输入电流为IB、输出电流为Ic, Ic IB, 有电流放大作用! ∴利用上节晶体管内载流子关系式 令 则 此式称为共发射极直流电流传输方程。 其中
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