第九章-磁敏传感器(讲).pptVIP

* P N P N P N H=0 H+ H- → → → ← ← ← 电流 电流 电流 （a） （b） （c） 磁敏二极管的工作原理示意图 流过二极管的电流也在变化，也就是说二极管等效电阻随着磁场的不同而不同。 （2）磁敏二极管的工作原理 当磁敏二极管的P区接电源正极，N区接电源负极即外加正偏压时，随着磁敏二极管所受磁场的变化， i i i 电子 空穴 复合区 * 结论：随着磁场大小和方向的变化，可产生输出电流（电压）的变化、特别是在较弱的磁场作用下，可获得较大输出电压。若r区和r区之外的复合能力之差越大，那么磁敏二极管的灵敏度就越高。 磁敏二极管反向偏置时，则在 r区仅流过很微小的电流，显得几乎与磁场无关。因而流过二极管的电流（端电压）不会因受到磁场作用而有任何改变。 * 2．磁敏二极管的主要特征 （1）伏安特性 在给定磁场情况下，磁敏二极管两端 正向偏压和通过它的电流的关系曲线。 -0.2 2 1 3 5 7 9 U/V I/mA 0 0.2T 0.15T 0.1T 0.05T -0.05T （a） 5 3 1 I/mA 4 6 8 10 U/V -0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 （b） 5 3 1 I/mA 4 8 12 16 U/V -0.1 0 0.1 0.4 0.3 0.2 -0.3 （c） 磁敏二极管伏安特性曲线 （a）锗磁敏二极管（b）、（c）硅二极管 -0.1T -0.15T -0.2T 0 0 0 * 由图可见硅磁敏二极管的伏安特性有两种形式。一种如图（b）所示，开始在较大偏压范围内，电流变化比较平坦，随外加偏压的增加，电流逐渐增加；此后，伏安特性曲线上升很快，表现出其动态电阻比较小。另一种如图2.6-29(c)所示。硅磁敏二极管的伏安特性曲线上有负阻现象，即电流急增的同时，有偏压突然跌落的现象。 产生负阻现象的原因是高阻硅的热平衡载流子较少，且注入的载流子未填满复合中心之前，不会产生较大的电流，当填满复合中心之后，电流才开始急增之故。 * （2）磁电特性 在给定条件下，磁敏二极管的输出电压变化量与外加磁场间的变化关系，叫做磁敏二极管的磁电特性。 磁敏二极管的磁电特性曲线 （a）单个使用时（b）互补使用时 B / 0.1T 1.0 2.0 3.0 -1.0 -2.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 B / 0.1T 2.0 -1.0 -2.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 1.0 ? 3kΩ R E E=12V Td=20℃ a （b） ΔU/V ΔU/V 下图给出磁敏二极管单个使用和互补使用时的磁电特性曲线。 * （3）温度特性 温度特性是指在标准测试条件下，输出电压变化量 （或无磁场作用时中点电压 ）随温度变化的规律，如图所示。 ΔU/V T/℃ 0 20 40 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 E=6V B = 0.1T 80 60 -20 I/mA -5 -4 -3 -2 -1 I 图2.6-31 磁敏二极管温度特性曲线 (单个使用时) ΔU 互补：两只性能相近的磁敏二极管按相反磁极性组合，并串联在电路中。 * 由图可见，磁敏二极管受温度的影响较大。 反映磁敏二极管的温度特性好坏，也可用温度系数来表示。硅磁敏二极管在标准测试条件下，u0的温度系数小于＋20mV／℃， 的温度系数小于0.6%/℃。而锗磁敏二极管u0的温度系数小于-60mV／℃， 的温度系数小于1.5%/℃。所以，规定硅管的使用温度为-40～＋85℃，而锗管则现定为-40～＋65℃。 * （4）频率特性 硅磁敏二极管的响应时间，几乎等于注入载流子漂移过程中被复合并达到动态平衡的时间。所以，频率响应时间与载流子的有效寿命相当。硅管的响应时间小于1 ，即响应频率高达1MHz。锗磁敏二极管的响应频率小于10kHz。 dB 0.1 -12 -9 -6 -3 0 10 1 0.01 图2.6-32 锗磁敏三极管频率特性 f/kHz * （二）磁敏三极管的工作原理和主要特性 1．磁敏三极管的结构与原理 （1）磁敏三极管的结构 NPN型磁敏三极管是在弱P型近本征半导体上，用合金法或扩散法形成三个结——即发射结、基极结、集电结所形成的半导体元 图2.6-33 NPN型磁敏三极管的结构和符号 a)结构 b