常用半导体器件41.pptVIP

第1章 常用半导体器件;导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;1.1.1 本征半导体（纯净和具有晶体结构的半导体）;在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;二、本征半导体的导电机理;+4;2.本征半导体的导电机理;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;1.1.2 杂质半导体;一、N 型半导体;+4;二、P 型半导体;三、杂质半导体的符号;总 结;;P 型半导体;漂移运动;－;1.空间电荷区中没有载流子。;(1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 ;(2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 ; PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;1.2 半导体二极管;1.2.2 伏安特性;1.2.3 主要参数;4. 反向电流 IR;5. 微变电阻 rD;6. 二极管的极间电容（结电容）; 当外加正向电压不同时，PN结两侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相当电容的充放电过程。;CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。;二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 ;1.2.4 二极管的应用举例2：;;（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。;在电路中稳压管只有与适当的电阻连接才能起到稳压作用。;稳压二极管的应用举例;令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。;2.光电二极管;3.发光二极管;;B;B;B;IC;结论:;二. 电流放大原理;B;IB=IBE-ICBO?IBE;ICE与IBE之比称为电流放大倍数;一.输入特性;二、输出特性;IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;1.3.4、主要参数;例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。;2.集-基极反向截止电流ICBO;B;4.集电极最大电流ICM;6. 集电极最大允许功耗PCM;; 绝缘栅场效应管;N 沟道耗尽型;N;P 沟道耗尽型;二、MOS管的工作原理;P;UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。;UT; 一个重要参数——跨导gm;N沟道增强型MOS管的基本特性 uGS ＜ UT，管子截止 uGS ＞UT，管子导通 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大;四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线;输出特性曲线; ;电子技术;SgOdL9I6F3B0y)v%s#oXlUiQfNcK8H5D2A+x*u$rZnWkShPeMaJ7G4C1z-wt!pYmVjRgOdL9I6E3B0y(v%s#oXlTiQfNbK8H5D2A-x*u$qZnWkShPdMaJ7F4C1z)ws!pYmUjRgOcL9H6E3B+y(v%r#oXlTiQeNbK8G5D2A-x*t$qZnVkShPdMaI7F4C0z)ws!pXmUjRfOcL9H6E2B+y(u%r#oWlThQeNbJ8G5D1A-w*t$qYnVkSgPdMaI7F3C0z)vs!pXmUiRfOcK9H6E2B+x(u%rZoWlThQeMbJ8G4D1A-w*t!qYnVjSgPdLaI6F3C0y)vs#pXlUiRfNcK9H5E2A+x(u$rZoWkThQeMbJ7G4D1z-w*t!qYmVjSgOdLaI6F3B0y)v%s#pXlUiQfNcK8H5E2A+x*u$rZnWkThPeMaJ7G4C1z-wt!pYmVjRgOdL9I6F3B0y(v%s#oXlUiQfNbK8H5D2A+x*u$qZnWkShPeMaJ7F4C1z)wt!pYmUjRgOcL9I6E3B+y(v%r#oXlTiQeNbK8G5D2A-x*t$qZnVkShPdMaJ7F4C0z)ws!pYmUjRfOcL9H6E3B+y(u%r#