3.1硅晶圆制造工艺.pptVIP

硅作为集成电路半导体材料的主要原因： 1. 硅含量丰富（占地壳27%）； 2. 硅提纯和结晶方便； 3. 在常温下它的化学性质稳定，不溶于单一 的强酸; 4. 硅的器件工作温度高，能达250℃ ； 5. 硅的表面能形成 牢固致密的SiO2膜，SiO2 能充当电容的电介质、扩散的隔离层、器 件表面的保护层，使器件的稳定性提高。 硅晶圆的制备工艺主要分五个阶段： 1. 多晶硅原料 2. 单晶硅制备 3. 切割 4. 研磨 5. 评估 * * 粗 硅 1. 多晶硅原料 地球中硅以硅砂（SiO2）状态存在 还原炉SiO2(s)十2C(s)＝Si(s)十2CO(g) 纯 化(99.999999999%) 化学法 化学法纯化 西门子式多晶硅工艺 盐酸法：粗硅与干燥氯化氢在200℃以上反应 Si十3HCl==SiHCl3（L）+H2（g）（实际反应极复杂） 精馏： 将SiHCl3置于蒸馏塔中 利用杂质和SiHCl3沸点不同用精馏的方法分离提纯 反应得到的多晶Si还不能直接用于生产电子元器件，必须将它制成单晶体 分解： 将精馏过的SiHCl3置于CVD反应炉中 用高纯氢气还原得到多晶硅 S