同步整流控制新技术与应用.pdf

技术与应用 TECHNOLOGY APPLICATION · 同步整流控制新技术与应用 The new technigue and application of synchrocontrol rectifier 艾伦通信工程有限公司 吴康 （苏州 215003） 中图分类号：TN713 文献标识码：A 文章编号：1606-7517（2007）09-04-136 0 前言 众所周知,电源在计算机、工业和电信领域的应用已经 得到了认可。为了优化系统应用，电源均采用了标准的工 业机械结构和高性能连接技术。然而，传统的电源沿用的 是传统的二极管整流技术，应用时会造成很大的功率损耗 并且限制了可用输出功率。为此将应用新型的同步整流技 术，即次级同步整流并带有输出电流匀流功能的集成控制 ™ 器与智能整流（SmartRectifier）IC，使其电源在效率和 性能方面都有了很大的提高。值此，将二类同步整流技术 的特征与应用作分析说明，于是首先对有关同步整流技术 的基本状况作介绍。 1 何谓同步整流与同步整流控制 同名端为低电位时，G为高位，SR开通，于是负载Ro上得 1.1 同步整流 到正弦半波电压，实现了整流。 一个N沟道功率MOSFET管的电路图形符号，它有三 图1(a)中利用变压器实现功率MOSFET管栅极驱动信 号与DS极间开关同步,这种整流方式称为同步整流(SR)的 个极：D(漏极)、S(源极)和G(栅极)。D、S间有一个反并联 原因源于此，又称为反驰式转换器整流方案.自驱动方式也 二极管，还有输出结电容。功率MOSFET管作为开关使用 比较简单，而其缺点是：开关变换器输出电路接入SR，栅 时,驱动信号加在栅极和源极(GS)间,作为同步整流使用时虽 然DS间仍类似一个开关管，但其驱动方式有自驱动和外驱 极驱动电压VG未必是常数，与占空比D及输入电压Vs′有 关。当占空比D及输入电压变化范围较广时，VG或太大， 动两种,为了实现同步，自驱动同步整流MOSFET管驱动信 或太小，使SR损耗也增大。 号加在栅极和漏极(GS)间。下面举一个例子，说明自驱动 同步整流原理。图1表示一个正弦半波整流电路,用自驱动 用外驱动方式时，栅极驱动电压VG作为开关管一样； 同步整流（SR）代替二极管D。漏极接在变压器输出同名 加在MOSFET管的栅源(GS)极间。它的缺点是：需要控制 检测、定时逻辑、同步变压器、以及高速驱动电路等，比 端,栅极通过电阻R1(以防CD间电压过高)接在变压器输出的 另一端。当同名端为高电位时，G为低电位，SR阻断。当 较复杂，价格贵，开发周期长，一定程度上限制了外驱动 2007.09 136 · TECHNOLOGY APPLICATION ·技术与应用 同步整流的广泛应用。现在人们正努力改进作为SR的功率 MOSFET管的性能参数，使之适用于开关频率为1-10MHz 的DC-DC变换器的整流电路。作为SR的MOSFET管，从器 件设计角度考虑，有三项关键参数：损耗