电力电子课后题答案.docVIP

第 1 章 电力电子器件 1. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。 或：uAK0 且 uGK0。 2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持 电流。 要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 3. 图 1-43 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 Im，试计算各波形的电流平均值 Id1、Id2、Id3 与电流有效值 I1、I2、I3。 0 2 0 4 4  5 2 0 2 4 2 ma) b) c) m 图 1-43 晶闸管导电波形 解：a) Id1= 1 p I m p I m sinwtd (wt ) = ( 2 1 ) 0.2717 I 2π 4 2π 2 I1=  1 p 2 π p ( I m sin wt) π  d (wt) = I m 3 1  0.4767 Im 2p 4 1 p 2 4 2p I m 2 b) Id2 = π p I m sinwtd (wt ) = 4 ( 1 ) 0.5434 Im 2 I2 =  1 p 2 p ( I m sin wt)  d (wt ) =  2 I m 3 1  0.6741I p 4 2 1 p 4 2p 1 c) Id3= 2π 1 2 I m d (wt ) = Im p0 4 p 2 1 I3 = 2 I m d (wt) = Im 2p 0 2 4. 上题中如果不考虑安全裕量,问 100A 的晶闸管能送出的平均电流 Id1、Id2、Id3 各为 多少？这时，相应的电流最大值 Im1、Im2、Im3 各为多少? 解：额定电流 I T(AV) =100A 的晶闸管，允许的电流有效值 I =157A，由上题计算结果知 I a) Im1 b) Im2  0.4767 I 0.6741 329.35， Id1 0.2717 Im1 89.48 232.90, Id2 0.5434 Im2 126.56 1 c) Im3=2 I = 314, Id3= 4 Im3=78.5 5. GTO 和普通晶闸管同为 PNPN 结构，为什么 GTO 能够自关断，而普通晶闸管不能？ 答：GTO 和普通晶闸管同为 PNPN 结构，由 P1N1P2 和 N1P2N2 构成两个晶体管 V1、V2,分 别具有共基极电流增益a1 和a 2 ，由普通晶闸管的分析可得，a1 + a 2 =1 是器件临界导通 的条件。a1 + a 2 ＞1，两个等效晶体管过饱和而导通；a1 + a 2 ＜1，不能维持饱和导通而 关断。 GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为 GTO 与普通晶闸管在设计和 工艺方面有以下几点不同： 1) GTO 在设计时a 2 较大，这样晶体管 V2 控制灵敏，易于 GTO 关断； 2) GTO 导通时的a1 + a 2 更接近于 1，普通晶闸管a1 + a 2 1.15，而 GTO 则为 a1 + a 2 条件； 1.05，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利 3) 多元集成结构使每个 GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得 P2 极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 6. 如何防止电力 MOSFET 因静电感应应起的损坏？ 答：电力 MOSFET 的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFET 的输入电容是低 泄漏电容，当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过 20 的击穿电压，所以为防止 MOSFET 因静电感应而引起的损坏，应注意以下几点： ① 一般在不用时将其三个电极短接； ② 装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地； ③ 电路中，栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高 ④ 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。 7. IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的驱动电路各有什么特点？ 答：IGBT 驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT 是电压驱动型器件， IGBT 的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 GTR 驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过 冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，