三电平逆变器.ppt

* IGCT 与IGBT的损耗对比 * sym.GTO IGCT Diode LV- IGBT 适于未来发展的高压 IGBTs Mercury-vapor rectifier HV- IGBT MOS-FET Transistor Transistor BipolarTransistor Thyristor fast-switching Diode asym.GTO 功率元件的发展 * 5.逆变器输出波形和谐波含量 三电平NPC逆变器运 行在f1=60Hz,Ts=1/1080s, Fsw,dev=1080/2+60/2=570Hz Ma=0.8条件下的仿真波形。 负载为PF=0.9的感性负载. vg1,vg4分别为S1和S4的驱动 信号，S2，S3分别与S4和S1 以互补方式运行。 * VAB的谐波分量和THD与ma的关系曲线 * 运行在: f1=60Hz, Ts=1/1080s Fsw,dev=570Hz 工况下，三电平NPC 逆变器在调制因数 分别为0.8,0.9时的 实测波形。 * A型开关顺序:以N型小矢量开始 6.消除偶次谐波 B型开关顺序:以P型小矢量开始 * 交替使用A型和B型开关顺序以消除偶次谐波 * 消除偶次谐波的改 进型SVM实测波型 * 5.4 中点电压控制 1.中点电压偏移的原因 除了小电压矢量和中电压矢量的影响外,其它因素有: 1）由于制造误差造成的电容不平衡； 2）开关器件的特性不一致； 3）三相不对称运行。 * 2.电动和再生运行模式的影响 a)为电动模式，直 流电流id从直流电 源流向逆变器。此 时，小矢量V1的P 型开关状态[POO] 导致中点电压Vz上 升，而N型开关状 态[ONN]则使Vz减 小。 b)为再生运行模式， 直流电流反向流动， 结果与a)正好相反。 * 3.中点电压的反馈控制 通过调整小电压矢量P型和N型开关状态的作用时间,可以控制中点电压VZ。将作用时间Ta重新分配为： 式中： 其中： * 根据检测得到的直流电容电压Vd1和Vd2来调整式中的时间增量△t，可以使中点电压偏移最小。下 表列出了电容电压和时间增量△t之间的关系 中点电压偏移程度 电动模式 再生模式 * 电容电压Vd1和Vd2的仿真波形 仿真实验：设每个电容电压的初始值均为2800V。为使Vd1、Vd2不平衡，下端电容通过并联一电阻，使下边的电容放电，从而使Vd2降低， Vd1 上升。 * 5.5 多电平二极管箝位式逆变器 1.四、五电平二极管箝位式逆变器 a)为四电平逆变器主电路 拓扑图 b)为五电平逆变器主电路 拓扑图 * 四电平开关状态和逆变器端电压VAN 开关状态 四电平逆变器 1 1 1 0 0 0 3E 0 1 1 1 0 0 2E 0 0 1 1 1 0 E 0 0 0 1 1 1 0 * 五电平开关状态和逆变器端电压VAN 五电平逆变器 1 1 1 1 0 0 0 0 4E 0 1 1 1 1 0 0 0 3E 0 0 1 1 1 1 0 0 2E 0 0 0 1 1 1 1 0 E 0 0 0 0 1 1 1 1 0 * 二极管箝位式多电平逆变器的器件数量 电平数目 有源开关 箝位二极管 直流电容 3 12 6 2 4 18 18 3 5 24 36 4 6 30 60 5 * 采用同相层叠（IPD）调制方式的四电平逆变器的仿真波形： 2.基于载波的PWM * IPD法VAB的谐波成分 * 交替反相层叠(APOD)调制方式的四电平逆变器输出波形 * APOD法四电平逆变器输出电压VAB的谐波含量 Gesch?ftsgebiet Drehzahlver?nderbare Antriebe A&D DS * SIEMENS 三电平四象限中压逆变器 M 3~ + - 直流环节 网侧整流器 0 3电平逆变器 DC 100 Hz 1 Hz 50/60 Hz 3-ph. 2.3 - 36 kV AC 50/60 Hz * ABB ACS1000 中压变频器 * ABB ACS1000 中压变频器 * ABB ACS1000 中压变频器 12 Inv. IGCTs +2 Pro. IGCTs 标准的交流 感应电动机 DC Link 3-电平电压源型逆变器 (VSI) 正弦波滤波器 IGCT 集成门极驱动和续流二极管的IGCT NPC Diode 中性点钳位二极管 * ABB ACS1000 中压变频器 速度控制 PID REF 转距给定 转距给定 调节器 速度给定 触发逻辑 开关位置 电压 电流 = 电机模型 转距和磁通 比较器 3~ 转距 计算速度 磁通 直接转矩控制DTC具有25us的控制周期 * ABB ACS1000 中压变