N阱CMOS芯片设计说明书.pptVIP

（1）30min干氧生成的SiO2的厚度： （2）120min湿氧生成的SiO2的厚度： （3）30分钟干氧生成的SiO2的厚度： 3.多晶硅栅膜 4.生长600?的垫氧化层 对于100径向 T=1100℃时选择干氧氧化 5.生长场氧 6.生长334?的栅氧化层 7.氮化硅 8.磷硅玻璃 五． 工艺实施方案 工艺步骤 工艺名称 工艺目的 设计目标结构参数 工艺方法 工艺条件 1 衬底选择 衬底 电阻率 晶向（100） 2 初始氧化 为n阱形成提供掩蔽 厚度 干氧—湿氧—干氧 干氧 1200度，30min 湿氧1200度，120min 干氧 1200度 30min 3 一次光刻 为磷提供扩散窗口 普通曝光 正胶 4 离子注入 注入形成n阱 离子注入P+ 5 退火推进 达到n阱所需深度 结深： 方块电阻: 有限表面源扩散 6 二次氧化 作为氮化硅膜的缓冲层 膜厚600? 干氧氧化 7 氮化硅膜淀积 作为光刻有源区的掩蔽膜 膜厚1000? 膜厚1000? t=18min 8 二次光刻 为磷扩散提供窗口 光刻有源区 正胶 9 场氧 利用氮化硅的掩蔽，在没有氮化硅、经离子注入的区域生成一层场区氧化层 湿氧氧化 95℃水温。 10 三次光刻 除N阱中有源区的氮化硅和二氧化硅层 普通曝光 负胶 11 离子注入 调整阈值电压 注入B+ 12 栅极氧化 形成栅极氧化层 厚度400? 干氧 13 多晶硅淀积 淀积多晶硅层 厚度4000? LPCVD T=600℃ 14 四次光刻 形成NMOS和PMOS多晶硅栅 普通曝光 正胶 15 五次光刻 光刻出NMOS有源区的扩散窗口 16 离子注入 形成NMOS有源漏区 表面浓度 结深 注入P+ 17 六次光刻 光刻出PMOS有源区的扩散窗口 普通曝光 正胶 18 离子注入 形成PMOS有源漏区 表面浓度 结深 注入B+ 19 淀积磷硅玻璃 保护 LPCVD 20 七次光刻 刻金属化的接触孔 普通曝光 正胶 21 蒸铝、反刻铝 淀积Al-Si合金，并形成集成电路的最后互连 溅射 负胶 22 钝化层 起保护作用 淀积 23 八次光刻 刻压焊孔掩膜版 负胶 谢 谢！ 放映结束 感谢各位批评指导！ 让我们共同进步 微电子技术综合实践 N阱CMOS芯片的设计 一．设计指标要求 1.任务：n阱CMOS芯片制作工艺设计 2.特性指标要求： n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTn=0.5V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥20V, 跨导gm≥2mS, 截止频率fmax≥3GHz（迁移率μn取600cm2/V·s） p沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTp= -1V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥20V, 跨导gm≥0.5mS, 截止频率fmax≥1GHz（迁移率μp取220cm2/V·s） 3. 结构参数参考值： p型硅衬底的电阻率为50 cm； n阱CMOS芯片的n阱掺杂后的方块电阻为690/□，结深为5~6m； pMOS管的源、漏区掺杂后的表面浓度11020cm-3，结深为0.3~0.5m； nMOS管的源、漏区掺杂后的表面浓度11020cm-3，结深为0.3~0.5m； 场氧化层厚度为1m；垫氧化层厚度约为600 ?；栅氧化层厚度为400 ?； 氮化硅膜厚约为1000 ?；多晶硅栅厚度为4000 ~5000 ?。 4．设计内容 （1）MOS管的器件特性参数设计计算； （2）薄膜加工工艺参数计算：分析、设计实现场氧化、栅氧化、多晶硅栅层或掩蔽氧化膜等的工艺方法和工艺条件（要求给出具体温度、时间或流量、速度等），并进行结深或掩蔽有效性的验证； （3）确定n阱CMOS芯片制作的工艺实施方案（包括所设计的结构参数、制作工艺流程、工艺方法、工艺条件及预期的结果）。 二．MOS器件特性分析MOS器件特性分析 2.PMOS参数设计与计算 三．工艺流程分析 1.衬底制备：CMOS集成电路通常制造在尽可能轻掺杂硼的P型（100）衬底上以减小衬底电阻，电阻率50Ω·cm。采用（100）晶向衬底是因为MOSFET工作电流为表面多子漂移电流，所以与载流子的表面迁移率有关，（100）的界面态密度最低，其表面迁移率最高，使得MOSFET可以有高的工作电流。 2.初始氧化：N阱区掩蔽氧化介质膜的厚度取决于注入和退火的掩蔽需要。采用干氧-湿氧-干氧的方法。干氧氧化层结构致密，与光刻胶粘附性好，光刻质量好。湿氧来生长氧化层。氧化机理：高温下，氧气与硅接触，氧气分子与其表面的硅原子反应生