半导体工艺基础 光刻工艺.pptVIP

* 曝光光源的选择：紫外光用于光刻胶的曝光是因为光刻胶与这个特定波长的光反应。波长很重要，因为较短波长的可以获得光刻胶上较小尺寸的分辨率。 对准：是指光刻掩膜版与光刻机之间的对准，二者均刻有对准标记，使标记对准即可达到光刻掩膜版与光刻机的对准。 套准：对准的结果，或者每个连续图形与先前层匹配的精度，称为套准。 * 曝光，曝光剂量等于光强与曝光时间的乘积。曝光过度会导致图形侧墙倾斜； 入射光波长越短，可实现的特征尺寸越小，图形分辨率越高，但能量越小； 首次曝光需要对准晶向，多次曝光之间需要进行图形对准。 对准曝光 * * 光的反射、干涉、衍射与驻波 可反光的表面将入射光反射，并在光刻胶中于入射光发生干涉形成驻波现象。引起不均匀曝光。 * * * 9.2.5 显影 在显影过程中，正胶的曝光区和负胶的非曝光区的光刻胶在显影液中溶解，而正胶的非曝光区和负胶的曝光区的光刻胶则不会在显影液中溶解。 曝光后在光刻胶层中形成的潜在图形，显影后便显现出来，在光刻胶上形成三维图形，这一步骤称为显影。 30～60 s * 显影后所留下的光刻胶图形将在后续的刻蚀或离子注入工艺中作为掩膜，因此，显影也是一步重要工艺。 显影效果主要因素包括：曝光时间、前烘的温度和时间、光刻胶的膜厚、显影液的浓度、显影液的温度、显影液的搅动情况等。 * 显影方式可以分为三个阶段： 硅片置与旋转台上旋转，并且在