半导体光电子学第7章 半导体中的光吸收和光探测.pptVIP

第七章 半导体中的光吸收和光探测 半导体对光的吸收机构大致可分为： ①本征吸收； ②激子吸收； ③晶格振动吸收； ④杂质吸收； ⑤自由载流子吸收. 参与光吸收跃迁的电子可涉及四种： ①价电子； ②内壳层电子； ③自由电子； ④杂质或缺陷中的束缚电子， 7.1 本征吸收 如果有足够能量的光子作用到半导体上，价带电子就有可能被激发到导带而形成电子一空穴对。这样的过程称为本征吸收。第一章已经提到，这种受激本征吸收使半导体材料具有较高的吸收系数，有一连续的吸收谱，并在光子振荡频率?=Eg/h处有一陡峭的吸收边，在?Eg/h(即入射光波长?1.24/Eg)的区域内，材料是相当透明的。由于直接带隙与间接带隙跃迁相比有更高的跃迁速率，因而有更高的吸收系数或在同样光子能量下在材料中的光渗透深度较小。与间接带隙材料相比，直接带隙材料有更陡的吸收边， 一、直接带隙跃迁引起的光吸收 1．允许跃迁 在外光场作用下导带电子向价带跃迁的几率为 2. 禁戒跃迁 在某些材料中(如Ge)，价带由单个原子的s态形成，而导带则由d电子态形成，跃迁选择定则禁止在k=0处发生直接带隙跃迁，但却允许在k?0处发生这种跃迁。禁戒跃迁亦表示于图7.1-2中。并且可以证明。当k=0时，跃迁几率B12=0，而当k离开零点时，跃迁几率随k2增加，即正比于(h?-