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基片集成波导技术研究 张小川 导师：徐军 研究背景 基片集成波导的概念 半波基片集成波导（HMSIW）的概念 国内外研究现状 相位常数 基片集成波导和微带传输线的转接形式 基片集成波导和微带线插损测试 Applications of SIW and HMSIW 1. 滤波器 2.天线 3.振荡器 4.功分器 5. HMSIW构建的耦合器 Filter LTCC 滤波器 Antenna CSSRs加载的基片集成波导滤波器 等效电路模型 试验结果 CMRC加载基片集成波导滤波器 介质基片为TMM10,介电常数9.2,厚度1mm 中心频率为5.35GHz, 带宽为1.7GHz 销钉加载半波基片集波导滤波器 仿真结果 Substrate Integrated Waveguide Quasi-elliptic Filter based on split ring resonator 待解决的问题 1、通过数值计算得到HMSIW的相位常数和损耗影子等特性参数随过孔半径、缝隙尺寸等结构参数的影响。 2、通过数值计算拟合出半波基片集成波导的宽度 等效的金属波导宽度，便于以后设计中应用。 3、系统的研究HMSIW中的几种不连续结构，包括：感性金属杆、H面不连续性结构、各种拐角、Y分支结构等等 4. 设计制造各种半波基片集成波导构建的器件。 谢谢大家！ 各种导波结构可分为两大类，即平面结构和非平面结构。平面结构包括微带线、共面波导、槽线等等。非平面结构包括矩形波导、同轴线、介质波导等等。 ◇平面结构适合系统的混合集成，然而，这种结构也存在着自身的缺陷，由于导体损耗、辐射损耗、介质损耗的存在，使得平面结构不利于工作在毫米波频段，也无法构成高Q值的部件。 ◇非平面结构的损耗低，故可以构成高性能部件。但是作为一种立体结构，非平面结构很难与平面结构或有源器件有效集成。 正是为了解决上述矛盾，一种基于介质基片的波导结构被提了出来，这就是我们所研究的对象——基片集成波导（SIW）。它为平面集成电路的研究开辟了全新的领域。 基片集成波导（Substrate Integrated Waveguide，简称SIW）是一种近年内出现的新型微波传输结构, 是基片集成电路的一个重要内容，其基本思想是在介质基片上用相邻很近的金属化通孔形成电壁，与上下金属面一起构成类似于普通波导的结构。 基片集成波导 金属波导 在波导结构中，对于主模来说，在传播方向的中心面是电场最强的地方（法向电场为零，切向磁场为零），所以中心面可以被看作是磁壁，根据这种思想，通过假想的磁壁将SIW从中心面切割成两部分，这样一个SIW就变成两个HMSIW,这种新结构继承了SIW的传播特性，这种假想的磁壁只是为了论证这种思想，考虑到实际应用的情况，从切面延长一点，这样可以防止能量的辐射。 CST仿真的主模场分布（8GHz），基片厚度为1mm，0.5mm处的电场分布 S_Parameter (S11,S21) 半波基片集成波导 基片集成波导 1、1998年J.Hirokawa等人曾对类似SIW的层叠结构进行了分析，但是没有明确的提出基片集成波导的概念。 2、2002年K.Wu等人用边界积分模式展开法对SIW的色散特性进行了分析。 3、H. Li等人采用频域有限差分法研究了SIW的传播特性，并给出了传播参数与金属通孔周期的关系。（2002年） 4、D.Deslandes研究了微带线与基片集成波导的互连问题，该文采用微带劈形结构实现SIW与50欧姆微带线匹配（2001年），同年，他们还分析了SIW与共面波导的互连问题。 5、D.Deslandes对SIW进行了改进，在波导内加入两排空气孔，改善了SIW的性能。 6、W. Hong等人提出了半波基片集成波导(HMSIW)的概念(2006.10)，在此基础上已经有关于HMSIW耦合器报道(2007.3)。 结论：由上面的分析可以看出，无论在理论还是应用方面，这种新型波导结构已经越来越受到重视。 5、在此基础上，出现了大量的关于微带集成波导的器件的报道，目前出现的SIW所构成的部件已经有：滤波器、振荡器、功分器、混频器、定向耦合器、天线等等。 介电常数 1,a=20mm, s=5mm,d=10mm, 上图为普通波导，中间s/d=0.5时的场分布，下图为s＝d时的场分布 衰减因子随缝隙的变化 相位常数随缝隙的变化 从损耗因子随缝隙变化的轨迹，可以看出，当满足s≤0.2λ这个条件时，泄漏损耗可以忽略不计。 由于工作频段低, s＜＜d, 因此不同的孔间距对传播特性的影响很小. 长度为100mm，介电常数 2.2,a=14mm, s=0.4mm,d=0.8mm,T1=5mm,t2